這款 N 通道 MV MOSFET 采用先進的 PowerTrench? 工藝生產，該工藝內置了屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
屏蔽柵極 MOSFET 技術
VGS = 10 V、ID = 67 A 時，最大 RDS（接通）= 4.0 mΩ
VGS = 6 V、ID = 33 A 時，最大 RDS（接通）= 8.0 mΩ
比其他 MOSFET 供應商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
MSL1 堅固封裝設計
應用：
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
最終產品：
交流-直流和直流-直流電源
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 67 A |
| 最大漏源電壓 | 120 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 106 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 6mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 36 nC @ 6 V |
| 長度 | 5mm |
