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Infineon IPD25N06S4L30ATMA2 MOSFET

訂 貨 號:IPD25N06S4L30ATMA2      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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Infineon IPD25N06S4L30ATMA2 MOSFET
產品詳細信息

the Infineon ? T2 功率晶體管的最大漏極源電壓為 60V 、 n 通道、汽車 mosfet 、采用 dak ( to-252 )封裝類型。

N 通道 - 增強模式
符合 aec Q101 標準
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產品(符合 RoHS 標準)
100% 雪崩測試


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 25 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.3. Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.2V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
暫無
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