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產(chǎn)品分類
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Infineon IPB64N25S320ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPB64N25S320ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
店鋪主頁(yè)

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Infineon IPB64N25S320ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

功能摘要:
N 通道 - 增強(qiáng)模式
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品
優(yōu)點(diǎn):
Trench 技術(shù)中的低 RDS(接通)- 低至 19.3 mΩ
最高電流容量 64A
以低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗實(shí)現(xiàn)高熱效率
具有卓越質(zhì)量和可靠性的堅(jiān)固封裝
經(jīng)過(guò)優(yōu)化的總柵極電荷可實(shí)現(xiàn)較小的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)
目標(biāo)應(yīng)用:
混合變頻器
直流/直流
壓電注塑


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 64 A
最大漏源電壓 250 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 20 MΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 300 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
典型柵極電荷@Vgs 67 nC @ 10 V
寬度 10.25mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
長(zhǎng)度 10mm
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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