當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





Infineon 設(shè)計是一 C7 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術(shù),符合超級連接( sj )原理,由 Infineon 技術(shù)開創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗和高級創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項技術(shù)。
能夠反向傳導
低柵極電荷、低輸出電荷
出色的換向堅固性
符合 dec 標準、適用于標準級應(yīng)用
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 9 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Pg 到 220 fullpak |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.18 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |