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Infineon IPLK80R1K2P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPLK80R1K2P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPLK80R1K2P7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 800V CoolMOS ? P7 超級(jí)接線 MOSFET 系列完全滿足市場(chǎng)在性能,易用性和性價(jià)比方面的需求,因此非常適合低功率 SMPS 應(yīng)用。它主要用于回掃應(yīng)用,包括適配器和充電器,音頻 SMPS , AUX 和工業(yè)電源。與前代產(chǎn)品以及在典型回掃應(yīng)用中經(jīng)過(guò)測(cè)試的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手部件相比,它可提供高達(dá) 0.6% 的效率增益和 2°C 至 8°C 的較低 MOSFET 溫度。它還可通過(guò)更低的切換損耗和更好的 DPAK RDS (接通) 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度設(shè)計(jì)。總體而言,它有助于客戶節(jié)省 BOM 成本并減少裝配工作量。

同類最佳 FOM RDS (接通) * Eoss 減少 Qg , Ciss 和 Coss 同類最佳 DPAK RDS (on) 3V 的最佳 V (GS) TH 和 ±0.5V 的最小 V (GS) TH 變體集成齊納二極管 ESD 保護(hù)完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合低 EMI

ThinPAK 5x6 封裝的特點(diǎn)是尺寸非常小,為 5x6 mm2 ,高度為 1 mm 的超薄外形以及其基準(zhǔn)低寄生能力,這些功能可顯著減小外形尺寸,有助于提高功率密度。此組合使 ThinPAK 5x6 中的 CoolMOS ? P7 特別適合其目標(biāo)應(yīng)用。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.5 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 ThinPAK
安裝類型 表面貼裝
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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