DiodesZetex 生產的 MOSFET，旨在最大限度地減小導通電阻 (RDS(ON)) ，同時保持卓越的開關性能，是高效電源管理應用的理想之選。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 SO-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。
最大漏極-源極電壓 600 V 最大柵極-源極電壓 ±30 V 導通電阻低 BVDSS 額定值高，適合于電源應用 輸入電容低
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 250 mA |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 13 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
