當 N 溝道不適合您的設計時，P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設計，我們廣泛的 MOSFET 產品目錄還包括許多 P 溝道設備系列，基于 Nexperia 的領先 Trench 技術。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。
20 V，P 溝道 Trench MOSFET，P 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
Trench MOSFET 技術
低閾值電壓
超快切換
增強型功耗能力：Ptot = 980 mW
靜電放電 (ESD) 保護 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
LED 驅動器
電源管理
高側負載開關
開關電路
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | -5.6 A |
| 最大漏源電壓 | -20 V |
| 封裝類型 | SOT23, TO-236AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 63 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -0.95V |
| 最小柵閾值電壓 | -0.45V |
| 最大功率耗散 | 4150 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 8 V |
| 長度 | 3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14.7 nC @ 10 V |
| 寬度 | 1.4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
