Infineon AIMW120R045M1XKSA1 專門設計用于滿足汽車行業在可靠性，質量和性能方面的高要求。使用 CoolSiC ? MOSFET 的轉換器的切換頻率的增加可顯著降低磁性組件的體積和重量，降低高達 25% ，從而顯著提高應用本身的成本。性能的提高滿足了電動汽車更高效率要求方面的新法規標準。
革命性的半導體材料 - 碳化硅 ? 極低的切換損耗
無閾值接通狀態特性 ? IGBT 兼容驅動電壓 (15 V 用于開啟)
0V 關閉柵極電壓
基準柵極閾值電壓， VGS (th) = 4.5 V
完全可控制 dv/dt
換向堅固的主體二極管，可隨時用于同步整流溫度獨立關閉開關損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 52 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | PG-TO247-3-41 |
| 安裝類型 | 通孔 |
