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Infineon IPW60R190E6FKSA1 MOSFET

訂貨號：IPW60R190E6FKSA1 品牌：英飛凌_Infineon

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屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	20 A
最大漏源電壓	650 V
封裝類型	TO-247
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	440 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	3.5V
最小柵閾值電壓	2.5V
最大功率耗散	151 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	5.21mm
長度	16.13mm
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+150 °C
典型柵極電荷@Vgs	63 nC @ 10 V

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