此 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態電阻（RDS（接通））并保持卓越的切換性能，使其特別適用于高效率電源管理應用。
0.6mm 薄型 — 特別適合薄型應用
印刷電路板印跡為 4mm2
低柵極閾值電壓
低接通電阻
高達 8kV 的 ESD 保護
應用
電池管理應用
電源管理功能
負載開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 10.3（狀態）A，12.8（穩定）A |
| 最大漏源電壓 | 12 V |
| 封裝類型 | U-DFN2020 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 18.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.3V |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±8 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 2.05mm |
| 長度 | 2.05mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 47 nC @ 8V |
