| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 5.7 A，7.5 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 40 mΩ、45 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 2.14 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 3.95mm |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 4.95mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 33.7 nC @ 10 V，37.6 nC @ 10 V |
