the Infineon trenchtop IGBT5 技術重新定義了杰出的無電偶、通過在高效率上為硬切換應用提供無與倫比的性能、從而降低接點和外殼溫度、從而提高設備可靠性。它具有 650 v 的集電極發射極電壓和 80 a 的集電極電流
更高的功率密度設計
總線電壓可能增加 50V 、但不會影響可靠性
低碳正溫度系數
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 80 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 20V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 270 W |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
