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Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT

訂 貨 號:FP75R12KT4BOSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT
產品詳細信息

Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發射極電壓為 1200 V,總耗散功率為 355 W,最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

內部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)
柵極-發射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發射極飽和電壓 2.15 V
柵極-發射極泄漏電流 400 nA


屬性 數值
最大連續集電極電流 75 A
最大集電極-發射極電壓 1200 V
最大柵極發射極電壓 ±20V
晶體管數 7
封裝類型 EconoPIM
暫無
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