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BFP842ESD 是高性能 HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管），專門設(shè)計用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 應(yīng)用。該設(shè)備基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技術(shù)。BFP842ESD 提供固有良好輸入功率匹配以及固有良好噪聲匹配（介于 2.3 與 3.5 GHz 之間）。不使用有損外部匹配組件的同時噪聲和功率匹配可使外部部件數(shù)量較少、噪聲指數(shù)極佳且應(yīng)用中的變換器增益較高。

堅固的極低噪聲放大器，基于 Infineon 可靠的高容量
SiGe:C 技術(shù)
高端射頻性能和堅固性的獨(dú)特組合
高線性
高轉(zhuǎn)換頻率
變換器增益
特別適用于低電壓應(yīng)用
低功耗，特別適用于移動應(yīng)用
易于使用的無鉛和無鹵工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝（帶可視引線）