EMI那些事——開關(guān)電源的EMI整改方式

來源：互聯(lián)網(wǎng)  作者：佚名2014年07月23日 10:14

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[導(dǎo)讀] 開關(guān)電源EMI整改中，不同頻段有不一樣的干擾原因及抑制辦法。

關(guān)鍵詞：EMI開關(guān)電源

　　開關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：

　　1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主

　　1.增大X電容量；

　　2.添加差模電感；

　　3.小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）。

　　1MHZ---5MHZ---差模共模混合

　　采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，

　　1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量;

　　2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制；

　　3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。

　　5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

　　對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;

　　可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔， 銅箔閉環(huán)。

　　處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

　　對于20--30MHZ。

　　1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；

　　2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；

　　3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

　　4.改變PCB LAYOUT；

　　5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；

　　6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；

　　7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；

　　8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

　　9. 可以用增大MOS驅(qū)動電阻。

　　30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起

　　1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻；

　　2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；

　　3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；

　　4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；

　　5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路；

　　6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；

　　7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；

　　8.PCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；

　　9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

　　50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起

　　1.可以在整流管上串磁珠；

　　2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；

　　3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/p>

　　4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）。

　　5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。

　　200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI標(biāo)準(zhǔn)

　　于EMI我只知道盡量將有高頻電流流過的銅箔做在線路板內(nèi)側(cè)，將流過直流電的銅箔或是低頻電流的銅箔放在外側(cè)，高頻大電流銅箔盡量短，自己用EMC的儀器測試都沒有什么問題，當(dāng)然低端的用Pai型濾波就可以，20W以上則要變壓器屏敝+共模電感，當(dāng)有Y電容時，后級紋波的大小對EMI影響較大。另外變壓器用銅箔屏敝比繞線效果要好很多。..成本也低。反饋電路有諧振時EMI也很難過，特別是從變壓器中出來的一串串高頻尖峰電壓，會使該頻段的MEI數(shù)值上升10甚至20DB以上，這在恒流開關(guān)電源中比較常見。單是怎樣把環(huán)路面積做到最少，就是很難的問題，共模濾波部分跟初級怎樣布局，大電解電容怎樣放置，散熱器器怎么做，接地應(yīng)該怎么樣接，都需要考慮，X電容與Y電容的排法，都很有講究。如：共模電感下面不要走初級的任何銅線，但濾波電路可以通過，如果有PFC電感，這個電感離共模電感要遠，而且這個電感下面最好不要放置控制IC，特別是CRM模式的PFC.

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