EMC的分類及標(biāo)準(zhǔn)
EMC（Electromagnetic Compatibility）是電磁兼容，它包括EMI（電磁騷擾）和EMS（電磁抗騷擾）。EMC定義為：設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。
EMC ＝ EMI ＋ EMS EMI：電磁干擾 EMS：電磁相容性 （免疫力）
EMI可分為傳導(dǎo)Conduction及輻射Radiation兩部分，
Conduction規(guī)范一般可分為： FCC Part 15J Class B；CISPR 22（EN55022， EN61000－3－2， EN61000－3－3） Class B；
國標(biāo)IT類（GB9254，GB17625）和AV類（GB13837，GB17625）。
FCC測試頻率在450K－30MHz，CISPR 22測試頻率在150K－－30MHz，Conduction可以用頻譜分析儀測試，Radiation則必須到專門的實(shí)驗(yàn)室測試。
EMI為電磁干擾，EMI是EMC其中的一部分，EMI（Electronic Magnetic Interference） 電磁干擾， EMI包括傳導(dǎo)、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構(gòu)成的，通常稱作干擾的三要素。 EMI線性正比于電流，電流回路面積以及頻率的平方即：EMI ＝ K＊I＊S＊F2。I是電流，S是回路面積，F(xiàn)是頻率，K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數(shù)。
輻射干擾（30MHz—1GHz）是通過空間并以電磁波的特性和規(guī)律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。
傳導(dǎo)干擾（150K－－30MHz）是沿著導(dǎo)體傳播的干擾。所以傳導(dǎo)干擾的傳播要求在干擾源和接收器之間有一完整的電路連接。
EMI是指產(chǎn)品的對外電磁干擾。一般情況下分為Class A ＆ Class B 兩個(gè)等級。 Class A為工業(yè)等級，Class B為民用等級。民用的要比工業(yè)的嚴(yán)格，因?yàn)楣I(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。同樣產(chǎn)品在測試EMI中的輻射測試來講，在30－230MHz下，B類要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過40dBm 而A類要求不能超過50dBm（以三米法電波暗室測量為例）相對要寬松的多，一般來說CLASSA是指在EMI測試條件下，無需操作人員介入，設(shè)備能按預(yù)期持續(xù)正常工作，不允許出現(xiàn)低于規(guī)定的性能等級的性能降低或功能損失。
EMI是設(shè)備正常工作時(shí)測它的輻射和傳導(dǎo)。在測試的時(shí)候，EMI的輻射和傳導(dǎo)在接收機(jī)上有兩個(gè)上限，分別代表Class A和Class B，如果觀察的波形超過B的線但是低于A的線，那么產(chǎn)品就是A類的。EMS是用測試設(shè)備對產(chǎn)品干擾，觀察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作，如果正常工作或不出現(xiàn)超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降，為A級。能自動重啟且重啟后不出現(xiàn)超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降，為B級。不能自動重啟需人為重啟為C級，掛掉為D級。國標(biāo)有D級的規(guī)定，EN只有A，B，C。EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過的。
EMS（Electmmagnetic Suseeptibilkr） 電磁敏感度一般俗稱為“電磁免疫力”，是設(shè)備抗外界騷擾干擾之能力，EMI是設(shè)備對外的騷擾。
EMS中的等級是指：Class A，測試完成后設(shè)備仍在正常工作；Class B，測試完成或測試中需要重啟后可以正常工作；Class C，需要人為調(diào)整后可以正常重啟并正常工作；Class D，設(shè)備已損壞，無論怎樣調(diào)整也無法啟動。嚴(yán)格程度EMI是B ＞ A，EMS是A ＞ B ＞ C ＞ D。
EMI電路：
X電容的作用：
抑制差模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。
Y電容的作用：
抑制共模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。Y電容使次級到初級地線提供一個(gè)低阻抗回路，使流向地再通過LISN回來的電流直接短路掉，由于Y電容非完全理想，次級各部分間也存在阻抗，所以不可能全部回來。還是有一部分流到地。Y電容必須直接用盡量短的直線連接到初級和次級的冷地， 如果開通時(shí)MOS的dv／dt大于關(guān)斷時(shí)的dv／dt， 則Y電容連接到初級的地； 反之連接到V＋。
共模電感的作用：
抑制共模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。增加共模電流部分的阻抗，減小共模電流。
差模電感的作用：
抑制差模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。
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