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產(chǎn)品分類(lèi)

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類(lèi)型分類(lèi):
科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類(lèi):
MOSFET

ZXGD3104N8:Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率

發(fā)布日期:2022-10-09 點(diǎn)擊率:70

產(chǎn)品特性:

  • 額定電壓為25V

  • 可由適配器的19V供電軌直接供電

  • 擁有180V的 MOSFET漏極感應(yīng)功能

應(yīng)用范圍:

  • 適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)


Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗,有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。

這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態(tài)過(guò)壓狀態(tài)下,保證器件正常工作。該器件擁有180V的 MOSFET漏極感應(yīng)功能,有助設(shè)計(jì)師減少對(duì)外部箝位電路的需求,并能大幅減少配件數(shù)量和節(jié)省空間。

ZXGD3104N8的比例式閘極驅(qū)動(dòng)操作能在漏極電流衰減時(shí),避免MOSFET過(guò)早關(guān)閉,從而提高了電路效率,并把本體二極管的傳導(dǎo)損耗減至最低。另外,該控制器的短暫關(guān)閉傳播延遲通常為15ns,有助把電源電路的效率提升至最大水平。

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