【導(dǎo)讀】短路故障是IGBT裝置中常見的故障之一，本文針對高壓大容量IGBT的短路故障，分析了IGBT的短路特性，基于已有的IGBT驅(qū)動器和有源電壓箝位技術(shù)，設(shè)計了一種閉環(huán)控制IGBT關(guān)斷過電壓的驅(qū)動電路。通過實驗證明，這種電路可以提高IGBT短路保護(hù)的可靠性。
IGBT被廣泛用于各類pwm變流器，如ups、變頻器、有源電力濾波器等。隨著IGBT制造工藝的發(fā)展，如今，IGBT的額定電流和電壓已分別提升到3600a和6500v，由大功率IGBT構(gòu)成的現(xiàn)代化兆瓦級變流器，廣泛出現(xiàn)在各類工業(yè)應(yīng)用當(dāng)中，尤其是近年來，隨著新能源發(fā)電技術(shù)的發(fā)展，中大功率IGBT得到了更為廣泛的應(yīng)用。隨著變流器容量的提升，變流器在整個系統(tǒng)的成本以及可靠性中所占的比重日益增大，因此，兆瓦級變流器的可靠性成為廣泛關(guān)注的問題。
短路時IGBT失效的原因
短路故障是電力電子裝置中常見的故障之一。電機(jī)繞組絕緣擊穿、電機(jī)電纜絕緣擊穿、誤操作、驅(qū)動指令錯誤、不足的死區(qū)時間，都會造成短路故障的發(fā)生。
通常，IGBT短路故障致使IGBT損壞的原因主要有以下三種。總的來說，這三種原因都可以歸結(jié)為器件中硅材料或焊接導(dǎo)線的熱效應(yīng)所引起。
（1）超出硅材料的熱極限
短路過程中，IGBT承受整個vdc電壓，同時ic為正常電流的若干倍。IGBT將承受遠(yuǎn)大于正常運(yùn)行狀態(tài)下的損耗，從而使得IGBT的結(jié)溫迅速升高。如果結(jié)溫超過了允許的最高結(jié)溫，IGBT將因熱積累作用失去阻斷能力。vce將迅速降低，隨后整個器件完全損壞。通常，IGBT生產(chǎn)廠家都會保證在特定情況下10μs的短路耐受時間。
（2）IGBT擎住效應(yīng)
在IGBT中存在一個寄生的npn三極管，正常運(yùn)行情況下，這個npn三極管被擴(kuò)散電阻旁路，不會開通。然而，在ic很大的情況下，例如短路發(fā)生時，這個npn三極管將開通，這樣IGBT門極將失去對IGBT的控制力。最終，IGBT將因為過大的電流使芯片和焊接導(dǎo)線上產(chǎn)生過大的損耗而損壞。
（3）vce過電壓
在保護(hù)電路控制IGBT主動關(guān)斷由于短路引起的大電流時，由于分布電感的存在會產(chǎn)生vce過電壓，vce超過了特定的限制。IGBT將因雪崩擊穿而損壞；與短路電流相等的ic將集中于一塊很窄的硅上從而產(chǎn)生一個高溫的熱點，因此，IGBT失去它的阻斷能力，并在幾十ns內(nèi)失去電壓。為了防止由于這類原因造成IGBT失效，除了主回路的分布電感應(yīng)盡可能地小，還需要一種帶有vce控制的門極驅(qū)動器。
短路故障的關(guān)斷過電壓
通常情況下，IGBT短路故障被分為兩類，開通短路（hsf）和通態(tài)短路（ful）。
開通短路是指負(fù)載短路發(fā)生在IGBT開通過程中，如圖1a）所示。IGBT在t1時刻開始開通，ic迅速升高！dic/dt由門極驅(qū)動電路的特性和 IGBT的跨導(dǎo)決定。vce先下降，很短時間后重新開始上升，穩(wěn)態(tài)時，vce略低于IGBT斷態(tài)電壓——直流側(cè)電壓vdc。
圖1：兩種IGBT短路故障特性
通態(tài)短路是指在IGBT已經(jīng)開通進(jìn)入穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)之后，負(fù)載發(fā)生短路，如圖1b）所示。短路發(fā)生后，ic上升，dic/dt由短路阻抗和直流側(cè)電壓vdc決定。當(dāng)ic升高至由門極電壓vge和IGBT跨導(dǎo)所決定的穩(wěn)態(tài)最大電流后，IGBT將退出飽和區(qū)，vce開始升高。vce的升高將通過米勒電容cgc耦合一個電流對IGBT門極進(jìn)行充電，從而使得vge升高。vge的升高將使得ic繼續(xù)增大，從而使得ic表現(xiàn)出很大的過沖，這將導(dǎo)致IGBT擎住現(xiàn)象發(fā)生甚至毀壞。
仔細(xì)觀察圖1中vce曲線，可以發(fā)現(xiàn)，在短路過程中，vce出現(xiàn)兩次過沖。第一次過沖是因為IGBT自身的限流作用，第二次是因為人為的IGBT關(guān)斷指令。通常，第二次電壓過沖是很高的，如果沒有進(jìn)行妥善的處理，可能造成IGBT因為vce過電壓而損壞。本文主要針對解決此問題，從門極驅(qū)動器的角度，展示了一種解決方法，保護(hù)IGBT免于由于此類故障損壞。
圖2：換流回路的等效電路
IGBT關(guān)斷過電壓是存儲在主回路分布電感中的能量重新分配的結(jié)果，無論何時，只要流經(jīng)IGBT、母排、直流側(cè)電容的電流發(fā)生換向，關(guān)斷過電壓都將出現(xiàn)。在如圖2所示的等效電路圖中，可得vce如下：
其中，lq包括了母排中的電感，直流側(cè)電容中的等效串聯(lián)電感以及IGBT封裝中的電感。vdfy表示反并聯(lián)二極管的正向恢復(fù)電壓，通常為10到50v。
為了保證vce在IGBT的額定范圍以內(nèi)換流電流變化率必須滿足下式。
