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cmos傳感器參數：CMOS圖像傳感器參數

CMOS圖像傳感器參數
CMOS圖像傳感器參數
1、傳感器尺寸
CMOS圖像傳感器的尺寸越大，則成像系統的尺寸越大，捕獲的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。目前，CMOS圖像傳感器的常見尺寸有1英寸、2/3英寸、1/2英寸、1/3英寸、1/4英寸等。
2、像素總數和有效像素數
像素總數是指所有像素的總和，像素總數是衡量CMOS圖像傳感器的主要技術指標之一。CMOS圖像傳感器的總體像素中被用來進行有效的光電轉換并輸出圖像信號的像素為有效像素。顯而易見,有效像素總數隸屬于像素總數集合。有效像素數目直接決定了CMOS圖像傳感器的分辨能力。
3、動態范圍
動態范圍由CMOS圖像傳感器的信號處理能力和噪聲決定,反映了CMOS圖像傳感器的工作范圍。參照CCD的動態范圍,其數值是輸出端的信號峰值電壓與均方根噪聲電壓之比,通常用DB表示。

4、靈敏度
圖像傳感器對入射光功率的響應能力被稱為響應度。對于CMOS圖像傳感器來說,通常采用電流靈敏度來反映響應能力,電流靈敏度也就是單位光功率所產生的信號電流。
5、分辨率
分辨率是指CMOS圖像傳感器對景物中明暗細節的分辨能力。通常用調制傳遞函數(MTF)來表示,同時也可以用空間頻率(lp/mm)來表示。
6、光電響應不均勻性
CMOS圖像傳感器是離散采樣型成像器件,光電響應不均勻性定義為CMOS圖像傳感器在標準的均勻照明條件下,各個像元的固定噪聲電壓峰峰值與信號電壓的比值。
7、光譜響應特性
CMOS圖像傳感器的信號電壓Vs和信號電流Is是入射光波長λ的函數。光譜響應特性就是指CMOS圖像傳感器的響應能力隨波長的變化關系,它決定了CMOS圖像傳感器的光譜范圍。
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cmos傳感器參數：CMOS圖像傳感器基礎知識和參數理解

CMOS圖像傳感器的工作原理：每一個 CMOS 像素都包括感光二極管(Photodiode)、浮動式擴散層(Floating diffusion layer)、傳輸電極門 (Transfer gate)、起放大作用的MOSFET、起像素選擇開關作用的M0SFET.在 CMOS 的曝光階段，感光二極管完成光電轉換，產生信號電荷，曝光結束后，傳輸電極門打開，信號電荷被傳送到浮動式擴散層，由起放大作用的MOSFET電極門來拾取，電荷信號轉換為電壓信號。所以這樣的 CMOS 也就完成了光電轉換、電荷電壓轉換、模擬數字轉換的三大作用，通過它我們就能把光信號轉化為電信號，最終得到數字信號被計算機讀取，這樣，我們就已經擁有了記錄光線明暗的能力，但這還不夠，因為我們需要色彩。現代彩色CMOS 的原理也很簡單，直接在黑白圖像傳感器的基礎上增加色彩濾波陣列(CFA)，從而實現從黑白到彩色的成像。很著名的一種設計就是Bayer CFA（拜耳色彩濾波陣列）。一個很有趣的事就是，我們用來記錄光影的 CMOS, 和我們用來輸出光影的顯示器，原理也剛好是向相反的，CMOS 把光轉化為電信號最后以數字格式記錄，顯示器把解碼的數字格式從電信號重新轉化為光。光電之間的轉換也就構成了我們人類數字影像的基礎。

當前主流的CMOS廠商有：索尼、三星、豪威、格科微、思特威、安森美等公司。
常見的色彩濾波陣列：RGGB：一個紅光、一個藍光、兩個綠光濾波器
每個像素只能感應一種顏色的光，但是我對外輸出的時候，需要知道這個像素的rgb值，我就只能通過周圍像素去計算，這個計算和轉換是靠ISP去完成的。進從而得出我這個像素的RGB的值，這樣我每個像素雖然只感應了一種光，但是每個像素經過處理后傳輸到外面后就是有RGB的信息了。這些原始的感光數據成為RAW data。

RCCC：75% 部分為透傳，其余 25% 為感受紅光的濾波器。RCCC 的優點是光靈敏度高，適用于弱光環境。由于 RCCC 只有紅色光濾波器，因此主要用在對于紅色標識敏感的場合，比如交通燈檢測。

RCCB：50% 部分為透傳，其余紅光藍光濾波器各占 25%。RCCB 的弱光敏感性比 RCCC 稍差（Clear 部分少），但它分辨色彩的能力更好，采集的圖像既可以用于機器分析，也可以用于人眼觀察。

Mono：100% 透傳，它不能分辨色彩。Mono 配置的弱光靈敏度最高，僅用于對顏色無識別要求的場合，如駕駛員狀態檢測等。

幾個重要參數的理解
1、傳感器尺寸：圖像傳感器的尺寸越大，則成像系統的尺寸越大，捕獲的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。目前CMOS圖像傳感器的常見尺寸有1、2/3、1/2、1/3、1/4英寸等。
2、像素總數和有效像素數：像素總數是指所有像素的總和，像素總數是衡量CMOS圖像傳感器的主要技術指標之一。CMOS圖像傳感器的總體像素中被用來進行有效的光電轉換并輸出圖像信號的像素為有效像素。顯而易見，有效像素總數隸屬于像素總數集合。有效像素數目直接決定了CMOS圖像傳感器的能力。
3、動態范圍：動態范圍由CMOS圖像傳感器的信號處理能力和噪聲決定，反映了CMOS圖像傳感器的工作范圍。其數值是輸出端的信號峰值電壓與均方根噪聲電壓之比，通常用DB表示。
4、分辨率：對景物中明暗細節的分辨能力。
5、像元尺寸也就是像素的大小：是指芯片像元陣列上的每個像素的實際物理尺寸，通常的尺寸包括14um、10um、9um、7um、6.45um、3.75um、3.0um、2.0um、1.75um、1.4um、1.2um、1.0um等，像元尺寸從某種程度上反映了芯片的對光的響應能力，像元尺寸越大，能夠接收到的光子數量越多，在同樣的光照條件和曝光時間內產生的電荷數量越多。對于弱光成像而言，像元尺寸是芯片靈敏度的一種表征。
6、靈敏度：靈敏度是芯片的重要參數之一，它具有兩種物理意義。一種是光器件的光電轉換能力，與響應率的意義相同。即芯片的靈敏度指在一定的光譜范圍內，單位曝光量的輸出信號電壓（電流），單位可以為納安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一種是指器件所能傳感的對地輻射功率（或照度），與探測率的意義相同，單位可用瓦（w）或勒克斯（Lux）表示。
7、壞點數，由于受到制造工藝的限制，對于有幾百萬像素點的傳感器而言，所有的像元都是好的情況幾乎不可能，壞點數是指芯片中壞點（不能有效成像的像元或相應不一致性大于參數允許的范圍的像元）的數量，壞點數是衡量芯片質量的重要參數。
8、光譜效應，指芯片對于不同光波長光線的響應能力。
技術發展趨勢，體積小型化及高像素化仍是業界積極研發的目標。因為像素尺寸小則圖像產品的分辨率越高、清晰度越好、體積越小，其應用面更廣泛。
9、CRA角度：從鏡頭的傳感器一側，可以聚焦到像素上的光線的最大角度被定義為主光角（CRA），鏡頭軸心線附近接近零度，與軸心線的距離越大，角度也隨之增大。CRA與像素在傳感器的位置是相關的。如果lens的CRA小于sensor的CRA，一定會有偏色現象。
10、動態范圍：測量了圖像傳感器在同一張照片中同時捕獲光明和黑暗物體的能力，通常定義為最亮信號與最暗信號比值的對數。
11、IR cut（濾除紅外光）
如果沒有，圖像就會明顯偏紅，這種色差是沒法用軟件來調整的。
12、快門
Global Shutter（全局快門）與Rolling Shutter（卷簾快門）對應全局曝光和卷簾曝光模式。卷簾快門逐行曝光的方式，全局快門是全部像素同時曝光，所以全局快門能夠拍運動的物體而不產生形變，因為全局快門在每一個像素上添加了一個存儲單元
13、像素技術
FSI：前照式, 光是從前面的金屬控制線之間進入，然后再聚焦在光電檢測器上。
BSI：背照式，光線無需穿過金屬互連層,優勢大，比較有前景。
BSI在低照條件下的成像亮度和清晰度都比FSI有更大的優勢。
傳統的CMOS圖像傳感器是前照式結構的，自上而下分別是透鏡層、濾色片層、線路層、感光元件層。采取這個結構時，光線到達感光元件層時必須經過線路層的開口，這里易造成光線損失。
而背照式把感光元件層換到線路層的上面，感光層只保留了感光元件的部分邏輯電路，這樣使光線更加直接的進入感光元件層，減少了光線損失，比如光線反射等。因此在同一單位時間內，單像素能獲取的光能量更大，對畫質有明顯的提升。不過該結構的芯片生產工藝難度加大，良率下降，成本相對高一點。
堆棧式（stack）：堆棧式是在背照式上的一種改良，是將所有的線路層挪到感光元件的底層，使開口面積得以最大化，同時縮小了芯片的整體面積。對產品小型化有幫助。另外，感光元件周邊的邏輯電路移到底部之后，理論上看邏輯電路對感光元件產生的效果影響就更小，電路噪聲抑制得以優化，整體效果應該更優。業內的朋友應該了解相同像素的堆棧式芯片的物理尺寸是比背照式芯片的要小的。但堆棧式的生產工藝更大，良率更低，成本更高。索尼的IMX214（堆棧式）和IMX135（背照式）或許很能說明上述問題。
索尼的STARVIS:基于BSI的應用于監控攝像機的技術，在可見光和近紅外光區域實現高畫質。
索尼的Pregius：將BSI技術和全局快門結合一起。
Tetracelll:四合一像素技術
三星的ISOCELL:基于BSI，通過在圖像傳感器里的像素之間形成一道絕物理性絕緣體，來有效的防止進入像素的光信號外漏。
OV的PureCel：基于BSI和先進的4-單元像素內合并模式。
OV的OmniBSI：基于BSI，像素緊湊，減少像素的串擾問題。
思特威的smartGS：基于BSI應用于全局快門。
思特威的SmartPixel?：基于BSI，適用于安防監控行業的Rolling Shutter產品系列。
思特威的SmartClarity?：基于BSI，具備出色的夜視性能。

14、傳輸接口
MIPI: 移動行業處理器接口，是MIPI聯盟發起的為移動應用處理器制定的開放標準。串行數據，速度快，抗干擾，主流。
LVDS：低壓差分信號技術接口。
DVP：并口傳輸，速度較慢，傳輸的帶寬低。
Parallel：并行數據，含12位數據信號，行場同步信號和時鐘信號。
HISPI:高速像素接口，串行數據。
SLVS-EC: 由 SONY 公司定義，用于高幀率和高分辨率圖像采集，它可以將高速串行的數據轉化為 DC（Digital Camera）時序后傳遞給下一級模塊 VICAP（Video Capture）。SLVS-EC 串行視頻接口可以提供更高的傳輸帶寬，更低的功耗，在組包方式上，數據的冗余度也更低。在應用中 SLVS-EC 接口提供了更加可靠和穩定的傳輸。

15、封裝
BGA: 球形觸點陳列，表面貼裝型封裝。球柵網格陣列封裝.
LGA: 平面網格陣列封裝.
PGA: 插針網格陣列封裝.
CSP: 芯片級封裝的意思.
COB: 將裸芯片用導電或非導電膠粘附在互連基板上，然后進行引線鍵合實現其電連接。
Fan-out：扇出晶圓級封裝。
PLCC：帶引線的塑料芯片載體.表面貼裝型封裝。
TSV: TSV技術本質上并不是一種封裝技術方案，而只是一種重要的工具，它允許半導體裸片和晶圓以較高的密度互連在一起。

cmos傳感器參數：【原】深度解讀CMOS圖像傳感器

展開全文
圖像傳感器是將光信號轉換為電信號的裝置，在數字電視、可視通信市場中有著廣泛的應用。60年代末期，美國貝爾實臉室發現電荷通過半導體勢阱發生轉移的現象，提出了固態成像這一新概念和一維CCD(Charge-Coupled Device 電荷耦合器件)模型器件。到90年代初，CCD技術已比較成熱，得到非常廣泛的應用。
但是隨著CCD應用范圍的擴大，其缺點逐漸暴露出來。首先，CCD技術芯片技術工藝復雜，不能與標準工藝兼容。其次，CCD技術芯片需要的電壓功耗大，因此CCD技術芯片價格昂貴且使用不便。
目前，最引人注目，最有發展潛力的是采用標準的CMOS(Complementary metal Oxide Semiconductor  互補金屬氧化物場效應管)技術來生產圖像傳感器，即CMOS圖像傳感器。CMOS圖像傳感器芯片采用了CMOS工藝，可將圖像采集單元和信號處理單元集成到同一塊芯片上。由于具有上述特點，它適合大規模批量生產，適用于要求小尺寸、低價格、攝像質量無過高要求的應用，如保安用小型、微型相機、手機、計算機網絡視頻會議系統、無線手持式視頻會議系統、條形碼掃描器、傳真機、玩具、生物顯微計數、某些車用攝像系統等大量商用領域。
CMOS圖像傳感器概述
CMOS圖像傳感器是一種典型的固體成像傳感器，與CCD有著共同的歷史淵源。CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅動器、列驅動器、時序控制邏輯、AD轉換器、數據總線輸出接口、控制接口等幾部分組成這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。其工作過程一般可分為復位、光電轉換、積分、讀出幾部分。
在CMOS圖像傳感器芯片上還可以集成其他數字信號處理電路，如AD轉換器、自動曝光量控制、非均勻補償、白平衡處理、黑電平控制、伽瑪校正等，為了進行快速計算甚至可以將具有可編程功能的DSP器件與CMOS器件集成在一起，從而組成單片數字相機及圖像處理系統。
更確切地說，CMOS圖像傳感器應當是一個圖像系統。一個典型的CMOS圖像傳感器通常包含：一個圖像傳感器核心（是將離散信號電平多路傳輸到一個單一的輸出，這與CCD圖像傳感器很相似），所有的時序邏輯、單一時鐘及芯片內的可編程功能，比如增益調節、積分時間、窗口和模數轉換器。事實上，當一位設計者購買了CMOS圖像傳感器后，他得到的是一個包括圖像陣列邏輯寄存器、存儲器、定時脈沖發生器和轉換器在內的全部系統。與傳統的CCD圖像系統相比，把整個圖像系統集成在一塊芯片上不僅降低了功耗，而且具有重量較輕，占用空間減少以及總體價格更低的優點。
CMOS圖像傳感器基本工作原理
下圖為CMOS圖像傳感器的功能框圖。
首先，外界光照射像素陣列，發生光電效應，在像素單元內產生相應的電荷。行選擇邏輯單元根據需要，選通相應的行像素單元。行像素單元內的圖像信號通過各自所在列的信號總線傳輸到對應的模擬信號處理單元以及A/D轉換器，轉換成數字圖像信號輸出。其中的行選擇邏輯單元可以對像素陣列逐行掃描也可隔行掃描。行選擇邏輯單元與列選擇邏輯單元配合使用可以實現圖像的窗口提取功能。模擬信號處理單元的主要功能是對信號進行放大處理，并且提高信噪比。另外，為了獲得質量合格的實用攝像頭，芯片中必須包含各種控制電路，如曝光時間控制、自動增益控制等。為了使芯片中各部分電路按規定的節拍動作，必須使用多個時序控制信號。為了便于攝像頭的應用，還要求該芯片能輸出一些時序信號，如同步信號、行起始信號、場起始信號等。
從某一方面來說，CMOS圖像傳感器在每個像素位置內都有一個放大器，這就使其能在很低的帶寬情況下把離散的電荷信號包轉換成電壓輸出，而且也僅需要在幀速率下進行重置。CMOS圖像傳感器的優點之一就是它具有低的帶寬，并增加了信噪比。由于制造工藝的限制，早先的CMOS圖像傳感器無法將放大器放在像素位置以內。這種被稱為PPS的技術，噪聲性能很不理想，而且還引來對CMOS圖像傳感器的種種干擾。
然而今天，隨著制作工藝的提高，使在像素內部增加復雜功能的想法成為可能。現在，在像素位置以內已經能增加諸如電子開關、互阻抗放大器和用來降低固定圖形噪聲的相關雙采樣保持電路以及消除噪聲等多種附加功能。實際上，在Conexant公司（前Rockwell半導體公司）的一臺先進的CMOS攝像機所用的CMOS圖傳感器上，每一個像素中都設計并使用了6個晶體管，測試到的讀出噪聲只有1均方根電子。不過，隨著像素內電路數量的不斷增加，留給感光二極管的空間逐漸減少，為了避免這個比例（又稱占空因數或填充系數）的下降，一般都使用微透鏡，這是因為每個像素位置上的微小透鏡都能改變入射光線的方向，使得本來會落到連接點或晶體管上的光線重回到對光敏感的二極管區域。
因為電荷被限制在像素以內，所以CMOS圖像傳感器的另一個固有的優點就是它的防光暈特性。在像素位置內產生的電壓先是被切換到一個縱列的緩沖區內，然后再被傳輸到輸出放大器中，因此不會發生傳輸過程中的電荷損耗以及隨后產生的光暈現象。它的不利因素是每個像素中放大器的閾值電壓都有細小的差別，這種不均勻性就會引起固定圖像噪聲。然而，隨著CMOS圖像傳感器的結構設計和制造工藝的不斷改進，這種效應已經得到顯著弱化。
這種多功能的集成化，使得許多以前無法應用圖像技術的地方現在也變得可行了，如孩子的玩具，更加分散的保安攝像機、嵌入在顯示器和膝上型計算機顯示器中的攝像機、帶相機的移動電路、指紋識別系統、甚至于醫學圖像上所使用的一次性照相機等，這些都已在某些設計者的考慮之中。
CMOS圖像傳感器相關技術
像元結構和工作原理
CMOS圖像傳感器的光電轉換原理與CCD基本相同，其光敏單元受到光照后產生光生電子。而信號的讀出方法卻與CCD不同，每個CMOS源像素傳感單元都有自己的緩沖放大器，而且可以被單獨選址和讀出。
下圖上部給出了MOS三極管和光敏二極管組成的相當于一個像元的結構剖面，在光積分期間，MOS三極管截止，光敏二極管隨入射光的強弱產生對應的載流子并存儲在源極的P．N結部位上[1]。當積分期結束時，掃描脈沖加在MOS三極管的柵極上，使其導通，光敏二極管復位到參考電位，并引起視頻電流在負載上流過，其大小與入射光強對應。圖2-1下部給出了-個具體的像元結構，由圖可知，MOS三極管源極P．N結起光電變換和載流子存儲作用，當柵極加有脈沖信號時，視頻信號被讀出。
CMOS圖像傳感器陣列結構
下圖所示的是CMOS像敏元陣列結構，它由水平移位寄存器、垂直移位寄存器和CMOS像敏元陣列組成。
（1一垂直移位寄存器：2一水平移位寄存器；3一水平掃描開關；4一垂直掃描開關；5一像敏元陣列；6一信號線；7一像敏元）
下圖是CMOS攝像器件的原理框圖。
如前所述，各MOS晶體管在水平和垂直掃描電路的脈沖驅動下起開關作用。水平移位寄存器從左至右順次地接通起水平掃描作用的MOS晶體管，也就是尋址列的作用，垂直移位寄存器順次地尋址列陣的各行。每個像元由光敏二極管和起垂直開關作用的MOS晶體管組成，在水平移位寄存器產生的脈沖作用下順次接通水平開關，在垂直移位寄存器產生的脈沖作用下接通垂直開關，于是順次給像元的光敏二極管加上參考電壓(偏壓)。被光照的二極管產生載流子使結電容放電，這就是積分期間信號的積累過程。而上述接通偏壓的過程同時也是信號讀出過程。在負載上形成的視頻信號大小正比于該像元上的光照強弱。
CMOS圖像傳感器的功能結構及工作原理
如圖所示，給出了CMOS圖像傳感器結構框圖信號流程圖，首先，景物通過成像透鏡聚焦到圖像傳感器陣列上，而圖像傳感器陣列是一個二維的像素陣列，每一個像素上都包括一個光敏二極管，每個像素中的光敏二極管將其陣列表面的光強轉換為電信號，然后通過行選擇電路和列選擇電路選取希望操作的像素，并將像素上的電信號讀取出來，放大后送相關雙采樣CDS電路處理，相關雙采樣是高質量器件用來消除一些干擾的重要方法，其基本原理是由圖像傳感器引出兩路輸出，一路為實時信號，另外一路為參考信號，通過兩路信號的差分去掉相同或相關的干擾信號，這種方法可以減少KTC噪聲、復位噪聲和固定模式噪聲FPN(Fixed Pattern Noise)，同時也可以降低1／f噪聲，提高了信噪比，此外，它還可以完成信號積分、放大、采樣、保持等功能。然后信號輸出到模擬／數字轉換器上變換成數字信號輸出。
CMOS圖像傳感器結構類型
CCD型和CMOS型固態圖像傳感器在光檢測方面都利用了硅的光電效應原理，不同點在于像素光生電荷的讀出方式。典型的CMOS像素陣列，是一個二維可編址傳感器陣列。傳感器的每一列與一個位線相連，行允許線允許所選擇的行內每一個敏感單元輸出信號送入它所對應的位線上，位線末端是多路選擇器，按照各列獨立的列編址進行選擇。
根據像素的不同結構，CMOS圖像傳感器可以分為無源像素被動式傳感器（PPS）和有源像素主動式傳感器（APS）。根據光生電荷的不同產生方式APS又分為光敏二極管型、光柵型和對數響應型，現在又提出了DPS(digital pixel sensor)概念。
無源像素被動式傳感器
PPS出現得最早，結構也最簡單，使得CMOS圖像傳感器走向實用化，其結構原理如圖3所示。每一個像素包含一個光敏二極管和一個開關管TX。當TX選通時，光敏二極管中由于光照產生的電荷傳送到了列線col,列線下端的積分放大器將該信號轉化為電壓輸出，光敏二極管中產生的電荷與光信號成一定的比例關系。無源像素具有單元結構簡單、尋址簡單、填充系數高、量子效率高等優點，但它靈敏度低、讀出噪聲大。因此PPS不利于向大型陣列發展，所以限制了應用，很快被APS代替
光敏二極管像素單元
光敏二極管像素單元是由光敏二極管，復位管，源跟隨和行選通開關管組成，此外還有電荷溢出門管M3，M3的作用是增加電路的靈敏度，用一個較小的電容就能夠檢測到整個光敏二極管的n+擴散區所產生的全部光生電荷，它的柵極接約1V的恒定電壓，在分析器件工作原理時可以忽略將其看成短路。電荷敏感擴散電容用做收集光生電荷。復位管M4對光敏二極管和電容復位，同時作為橫向溢出門控制光生電荷的積累和轉移。源跟隨器M1的作用是實現對信號的放大和緩沖，改善APS的噪聲問題。源跟隨器還可加快總線電容的充放電，因而允許總線長度增加和像素規模增大。因此，APS比PPS具有低讀出噪聲和高讀出速率等優點，但像素單元結構復雜，填充系數降低，填充系數一般只有20%到30%。它的工作過程是：首先進入“復位狀態”，復位管打開，對光敏二極管復位；然后進入“取樣狀態”，復位管關閉，光照射到光敏二極管上產生光生載流子，并通過源跟隨器放大輸出；最后進入“讀出狀態”，這時行選通管打開，信號通過列總線輸出。
光柵型APS
光柵型APS是由美國噴氣推進實驗室（JPL）首先推出的。其中感光結構由光柵PG 和傳輸門TX構成。光柵輸出端為漂移擴散端，它與光柵PG被傳輸門TX隔開。像素單元還包括一個復位晶體管，一個源跟隨器和一個行選通晶體管。當光照射在像素單元時，在光柵PG處產生電荷；與此同時，復位管打開，對勢阱復位；然后復位管關閉，行選通管打開，復位后的電信號由此通路被讀出并暫存起來，之后傳輸門TX打開，光照產生的電信號通過勢阱并被讀出，前后兩次的信號差就是真正的圖像信號。
對數響應型CMOS-APS
對數響應型CMOS-APS擁有很高的動態范圍。它由光敏二極管、負載管、源跟隨器和行選通管組成，負載管柵極是一恒定偏置電壓（不一定要是電源電壓），該像素單元輸出信號與入射光信號成對數關系，它的工作特點是光線被連續地轉化為信號電壓，而不像一般APS那樣存在復位和積分過程。但是，對數響應型CMOS-APS的一個致命缺陷就是對器件參數相當敏感，特別是閾值電壓。
PPS和APS都是在像素外進行模/數（A/D）轉換的，而DPS將模/數（A/D）轉換集成在每一個像素單元里，每一個像素單元輸出的是數字信號，工作速度更快，功耗更低。
影響CMOS傳感器性能的主要問題
噪聲
這是影響CMOS傳感器性能的首要問題。這種噪聲包括固定圖形噪聲FPN（Fixed pattern noise）、暗電流噪聲、熱噪聲等。固定圖形噪聲產生的原因是一束同樣的光照射到兩個不同的象素上產生的輸出信號不完全相同。噪聲正是這樣被引入的。對付固定圖形噪聲可以應用雙采樣或相關雙采樣技術。具體地說來有點像在設計模擬放大器時引入差分對來抑制共模噪聲。雙采樣是先讀出光照產生的電荷積分信號，暫存然后對象素單元進行復位，再讀取此象素單元地輸出信號。兩者相減得出圖像信號。兩種采樣均能有效抑制固定圖形噪聲。另外，相關雙采樣需要臨時存儲單元，隨著象素地增加，存儲單元也要增加。
暗電流
物理器件不可能是理想的，如同亞閾值效應一樣，由于雜質、受熱等其他原因的影響，即使沒有光照射到象素，象素單元也會產生電荷，這些電荷產生了暗電流。暗電流與光照產生的電荷很難進行區分。暗電流在像素陣列各處也不完全相同，它會導致固定圖形噪聲。對于含有積分功能的像素單元來說，暗電流所造成的固定圖形噪聲與積分時間成正比。暗電流的產生也是一個隨機過程，它是散彈噪聲的一個來源。因此，熱噪聲元件所產生的暗電流大小等于像素單元中的暗電流電子數的平方根。當長時間的積分單元被采用時，這種類型的噪聲就變成了影響圖像信號質量的主要因素，對于昏暗物體，長時間的積分是必要的，并且像素單元電容容量是有限的，于是暗電流電子的積累限制了積分的最長時間。
為減少暗電流對圖像信號的影響，首先可以采取降溫手段。但是，僅對芯片降溫是遠遠不夠的，由暗電流產生的固定圖形噪聲不能完全通過雙采樣克服。現在采用的有效的方法是從已獲得的圖像信號中減去參考暗電流信號。
象素的飽和與溢出模糊
類似于放大器由于線性區的范圍有限而存在一個輸入上限，對于CMOS圖像傳感芯片來說，它也有一個輸入的上限。輸入光信號若超過此上限，像素單元將飽和而不能進行光電轉換。對于含有積分功能的像素單元來說，此上限由光電子積分單元的容量大小決定：對于不含積分功能的像素單元，該上限由流過光電二極管或三極管的最大電流決定。在輸入光信號飽和時，溢出模糊就發生了。溢出模糊是由于像素單元的光電子飽和進而流出到鄰近的像素單元上。溢出模糊反映到圖像上就是一片特別亮的區域。這有些類似于照片上的曝光過度。溢出模糊可通過在像素單元內加入自動泄放管來克服，泄放管可以有效地將過剩電荷排出。但是，這只是限制了溢出，卻不能使象素能真實還原出圖像了。
CMOS圖像傳感器參數
1、傳感器尺寸
CMOS圖像傳感器的尺寸越大，則成像系統的尺寸越大，捕獲的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。目前，CMOS圖像傳感器的常見尺寸有1英寸、2/3英寸、1/2英寸、1/3英寸、1/4英寸等。
2、像素總數和有效像素數
像素總數是指所有像素的總和，像素總數是衡量CMOS圖像傳感器的主要技術指標之一。CMOS圖像傳感器的總體像素中被用來進行有效的光電轉換并輸出圖像信號的像素為有效像素。顯而易見,有效像素總數隸屬于像素總數集合。有效像素數目直接決定了CMOS圖像傳感器的分辨能力。
3、動態范圍
動態范圍由CMOS圖像傳感器的信號處理能力和噪聲決定,反映了CMOS圖像傳感器的工作范圍。參照CCD的動態范圍,其數值是輸出端的信號峰值電壓與均方根噪聲電壓之比,通常用DB表示。

4、靈敏度
圖像傳感器對入射光功率的響應能力被稱為響應度。對于CMOS圖像傳感器來說,通常采用電流靈敏度來反映響應能力,電流靈敏度也就是單位光功率所產生的信號電流。
5、分辨率
分辨率是指CMOS圖像傳感器對景物中明暗細節的分辨能力。通常用調制傳遞函數(MTF)來表示,同時也可以用空間頻率(lp/mm)來表示。
6、光電響應不均勻性
CMOS圖像傳感器是離散采樣型成像器件,光電響應不均勻性定義為CMOS圖像傳感器在標準的均勻照明條件下,各個像元的固定噪聲電壓峰峰值與信號電壓的比值。
7、光譜響應特性
CMOS圖像傳感器的信號電壓Vs和信號電流Is是入射光波長λ的函數。光譜響應特性就是指CMOS圖像傳感器的響應能力隨波長的變化關系,它決定了CMOS圖像傳感器的光譜范圍。
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cmos傳感器參數：超大尺寸CMOS傳感器

ISDI是高性能CMOS成像半導體領域的創新者，提供定制傳感器設計和標準產品。
ISDI成立于2010年，由一個半導體設計團隊與通過科學和研究領域的項目獲得的CMOS圖像傳感器方面的知識和經驗。自成立以來，ISDI已經從一個科學傳感器的設計者發展到一個廣泛應用的晶片級成像設備的制造商。
所提供傳感器適合板到板或板通過電纜連接到數據采集PCB。數字接口設計用于直接連接到FPGA或ASIC。對于50μm和100μm傳感器，顯影板可通過USB或Gigevision直接與攝像機連接。
所有傳感器設計可用于X射線環境中的低噪聲操作，適用于光纖板（FOP）粘合或直接閃爍沉積。
一個多功能，功能豐富的硅片級圖像傳感器結合ISDI專利組成低噪聲像素架構。并且，傳感器可以對接以形成更大的連續圖像區域。
關鍵特征：

?卷簾曝光

?高、低滿阱（HFW、LFW）可選，適合高、低靈敏度應用

?片內溫度傳感器

?動態設置感興趣區域（ROI）

?非破壞性讀出選項
應用圖例：