哪個含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產(chǎn)品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復縈繞著這個問題。TI新發(fā)布的F3 FemtoFET，聲稱其產(chǎn)品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。
圖1：F3 FemtoFET組合尺寸
查看最新產(chǎn)品，加入下表包括超低容量產(chǎn)品CSD15380F3在內(nèi)的FemtoFET產(chǎn)品組合，。
部件編號 | N/P | Vds | Vgs | Id Cont. (A) | 典型的導通電阻 (mohm) | 輸入電容 (pF) |
4.5V | 2.5V | 1.8V |
CSD15380F3 | N | 20 | 10 | 0.5 | 1170 | 2200 | x | 8.1 |
CSD25480F3 | P | 20 | 12 | 1.7 | 132 | 203 | 420 | 119 |
CSD23280F3 | P | 12 | 6 | 1.8 | 97 | 129 | 180 | 180 |
表1 F3 FemtoFETs
體積如此之小的設備，一個關鍵的考慮點是如何使用表面裝配技術(shù)（SMT）將FemtoFET與面板連接。設備面板的焊盤距離是影響客戶SMT設備能否處理組合產(chǎn)品的關鍵因素。大多數(shù)的高容量個人電子產(chǎn)品制造商擁有可以處理最小0.35mm焊盤距離的SMT設備，但部分工業(yè)用客戶的SMT設備最小焊盤距離僅能到0.5mm。
FemtoFET的連接盤網(wǎng)格陣列（LGA）封裝與硅芯片級封裝（CSP）相似，唯一的不同是LGA沒有附加錫球。F3 FemtoFET上的鍍金leads保留著與TI前代產(chǎn)品F4 FemtoFET一樣的0.35mm焊盤距離。這就給使用體積更小產(chǎn)品的F4客戶更強的信心，即他們的SMT設備可處理F3 FemtoFET。
為了使FemtoFET能應用到工業(yè)用設備，TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產(chǎn)品，并將電壓范圍擴充至60V。了解更多60V F5設備，請閱讀我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)設備體積。”
TI推薦使用無鉛（SnAgCu）SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏，但體積更小的第四類焊錫膏則是更優(yōu)選擇。焊膏應免清洗，且可溶于水。不過，在面板安裝之后用焊劑進行清洗仍不失為是個絕妙主意。
使用面板模子在面板上標出將施加焊錫膏的點位。模子的厚度以及開口的長寬是重要的參數(shù)。模子最厚應不超過100μm。
低漏電型FemtoFET可用于各類可穿戴設備和個人通訊設備。由于柵極漏電和漏極漏電的單位數(shù)僅為納米安培級，F(xiàn)emtoFET可協(xié)助保證您的個人電子設備的充電電池可支撐使用一整天。自2013年以來，F(xiàn)emtoFET產(chǎn)品發(fā)行量已超過五億。這個夏天，我正在長灘島度假，在我的夢中，全都是這些有著完美焊盤距離的沙粒。更多內(nèi)容，請點擊閱讀TI FemtoFET MOSFETS 產(chǎn)品家族。
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https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/27/turning-sand-into-gold
