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　　場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。

　　根據柵的結構，場效應晶體管可以分為三種：

　?、俳Y型場效應管(用PN結構成柵極)；

　?、贛OS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極，見金屬－絕緣體－半導體系統）；

　?、跰ES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用廣泛。尤其在大規模的發展中，MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。

　　在MOS器件的基礎上，又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。