發布日期：2022-07-14 點擊率：63
1. 本征半導體及其特點
純凈的半導體稱為本征半導體。在熱“激發”條件下，本征半導體中的電子和空穴是成對產生的;當電子和空穴相遇“復合”時，也成對消失;電子和空穴都是載流子;溫度越高，“電子—空穴”對越多;在室溫下，“電子—空穴”對少，故電阻率大。
2. 摻雜半導體及其特點
( 1 ) N 型半導體：在本征硅或鍺中摻入適量五價元素形成 N 型半導體， N 型半導體中電子為多子，空穴為少子;電子的數目(摻雜 + 熱激發) = 空穴的數目(熱激發) + 正粒子數;半導體對外仍呈電中性。
( 2 ) P 型半導體：在本征硅或鍺中摻入適量三價元素，形成 P 型半導體，其空穴為多子，電子為少子;空穴的數目(摻雜 + 熱激發) = 電子的數目(熱激發) + 負粒子數;對外呈電中性。
在本征半導體中，摻入適量雜質元素，就可以形成大量的多子，所以摻雜半導體的電阻率小，導電能力強。
當 N 型半導體中再摻入更高密度的三價雜質元素，可轉型為 P 型半導體;反之， P 型半導體也可通過摻入足夠的五價元素而轉型為 N 型半導體。
3. 半導體中的兩種電流
( 1 )漂移電流：在電場作用下，載流子定向運動所形成的電流則稱為漂移電流。
( 2 )擴散電流：同一種載流子從濃度高處向濃度低處擴散所形成的電流為擴散電流。
4. PN 結的形成
通過一定的工藝，在同一塊半導體基片的一邊摻雜成 P 型，另一邊摻雜成 N 型， P 型和 N 型的交界面處會形成 PN 結。
P 區和 N 區中的載流子存在一定的濃度差，濃度差使多子向另一邊擴散，從而產生了空間電荷和內電場;內電場將阻多子止擴散而促進少子漂移;當擴散與漂移達到動態平衡時，交界面上就會形成穩定的空間電荷層(或勢壘區、耗盡層)，即 PN 結形成。
5. PN 結的單向導電性
PN 結正向偏置時，空間電荷層變窄，內電場變弱，擴散大于漂移，正向電流很大(多子擴散形成)， PN 結呈現為低電阻，稱為正向導通。正向壓降很小，且隨溫度上升而減小。
PN 結反向偏置時，空間電荷層變寬，內電場增強，漂移大于擴散，反向電流很小(少子漂移形成)， PN 結呈現為高電阻，稱為反向截止。反偏電壓在一定范圍內，反向電流基本不變(也稱為反向飽和電流)，且隨溫度上升而增大。
6. PN 結的電容特性
(1)勢壘電容CB：當外加在PN結兩端的電壓發生變化時，空間電荷層中的電荷量會發生變化，這一現象是一種電容效應，稱為勢壘電容。CB是非線性電容。
(2)擴散電容CD：當PN結正向偏置時，多子擴散到對方區域后，在PN結邊界附近有積累，并會有一定的濃度梯度。積累的電荷量也會隨外加電壓變化，引起電容效應，稱為擴散電容。CD也是非線性電容。
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