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美國(guó)波特蘭消息—隨著日本宇宙航空研究開發(fā)機(jī)構(gòu)發(fā)射SpriteSat衛(wèi)星,MRAM技術(shù)已經(jīng)向太空應(yīng)用挺進(jìn)。據(jù)瑞典Angstrom Aerospace公司宣布,其微機(jī)電系統(tǒng)磁強(qiáng)計(jì)將采用MRAM來(lái)替代日本研究的衛(wèi)星上的SRAM以及閃存。

“MRAM替代了Angstrom為SpriteSat設(shè)計(jì)的模塊中的閃存以及電池供電的SRAM,”位于斯德哥爾摩的瑞典皇家科技學(xué)院材料以及陀螺電子學(xué)專家、教授Johan Akerman說(shuō),“MRAM能夠重新配置重要的程序以及衛(wèi)星任務(wù)的不同級(jí)的路線分辨率,這就是它的重大益處。”

MRAM的構(gòu)想在1990年提出,意在替代從RAM到硬盤的不同類型的存儲(chǔ)器。因?yàn)樗鼘儆诠腆w存儲(chǔ)器,MRAM超過(guò)了硬盤的旋轉(zhuǎn)機(jī)制。此外,因?yàn)槊恳粋€(gè)比特可以無(wú)限次地擦除和重寫,MRAM超過(guò)了閃存,閃存只能以大塊擦除和重寫1百萬(wàn)次,然后將失效。MRAM還是非易失性存儲(chǔ)器。

除了這些好處之外,MRAM還有待完善。因?yàn)樵贛RAM發(fā)展過(guò)程中存在的問(wèn)題,即使最高密度的MRAM芯片,如飛思卡爾的MR2A16A只能以大約20美元的單位成本存儲(chǔ)4Mb的數(shù)據(jù),相比之下,價(jià)值5美元的閃存可以存儲(chǔ)4Gb。對(duì)于像軍事以及航天這樣的利基應(yīng)用,MRAM正開始替代其它類型的存儲(chǔ)器。

Angstrom Aerospace正在其衛(wèi)星子系統(tǒng)中獨(dú)家采用MRAM。MRAM將存儲(chǔ)程序數(shù)uyiji為現(xiàn)場(chǎng)可編程陣列存儲(chǔ)配置比特。此外,MRAM具有比較方便的可重編程性,從而容許程序代碼以及FPGA被由地面上傳遞至MRAM的新存儲(chǔ)鏡像進(jìn)行重新配置。

Angstrom Aerospace的子系統(tǒng)將在2008年下半年由SpriteSat衛(wèi)星發(fā)射升空,其中搭載的復(fù)雜磁強(qiáng)計(jì)將檢測(cè)地球的磁場(chǎng)以及衛(wèi)星的軌道。SpriteSat的整個(gè)任務(wù)就是在較高的大氣層通過(guò)可見光效應(yīng)來(lái)研究“Sprites”。

此外,位于英國(guó)的e2v'Technologies PLC宣布,它正在測(cè)試飛思卡爾半導(dǎo)體公司的MR2A16A MRAM,以便驗(yàn)證其是否符合-55度+125的軍用溫度規(guī)范。目前,飛思卡爾的MRAM工作溫度在-40 至+105度之間。