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　　NTT在“2016年NTT研發(fā)論壇”上展示并演示了MEMS振子的傳感器精度技術(shù)。

　　NTT開發(fā)出了利用GaAs的特性、極大提高采用MEMS振子的傳感器精度的技術(shù)，并在“2016年NTT研發(fā)論壇”(2016年2月18～19日，日本東京都武藏野市NTT武藏野研發(fā)中心)上進(jìn)行了演示。

　　此次的技術(shù)有利于提高檢測有無分子水平微小物質(zhì)及微小物質(zhì)存在量的傳感器精度。傳感器使用利用MEMS技術(shù)形成的微小振子。振子表面貼有只吸附特定物質(zhì)的膜，隨著物質(zhì)吸附，振子重量增加時(shí)，振子的固有頻率會發(fā)生變化，傳感器利用這一點(diǎn)進(jìn)行檢測。如果不在絕對零度下使用，振子的材料等所具有的熱噪聲會對振動產(chǎn)生影響，從而影響傳感器的精度。

　　NTT采取了在MEMS振子上使用GaAs來消除熱噪聲的做法。GaAs具有光電轉(zhuǎn)換特性，照射特定波長以下的光時(shí)，材料內(nèi)會產(chǎn)生載流子(電子、空穴)。另一方面，還具有壓電特性，加載電場時(shí)，會發(fā)生機(jī)械變形。

　　NTT結(jié)合了這兩種特性。也就是說，形成了利用光照射產(chǎn)生的載流子加載電場使其發(fā)生機(jī)械變形的循環(huán)。具體就是，向MEMS振子根部照射激光，產(chǎn)生了抑制熱噪聲的變形。

　　此次的技術(shù)除用于MEMS振子型傳感器以外，還可以作為控制MEMS極小機(jī)械運(yùn)動的方法，以及在導(dǎo)通芯片上實(shí)現(xiàn)光-熱-機(jī)械-電子聯(lián)動電路的方法使用。今后將從現(xiàn)在的基礎(chǔ)研究階段，一邊探索應(yīng)用，一邊實(shí)用化。

　　MEMS傳感器