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科普知識
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交流發電機

智能手環離不開的5大主流MEMS傳感器

發布日期:2022-10-09 點擊率:78

  1、意法半導體


  智能手環代表:咕咚智能手環、Fitbit Flex、bong等


  傳感器型號:LIS3DH


  意法半導體進一步擴大其運動傳感器產品陣容,推出功耗極低的數字輸出3軸加速計LIS3DH,比市場現有的解決方案減少90%以上的功耗,同時縮小封裝面積和提升芯片功能性。


  工作電流消耗最低為2μA,這款3x3x1 mm的加速傳感器最適合運動感應功能、空間和功耗均受限的應用設計,如手機、遙控器以及游戲機。在±2g/±4g/±8g/±16g全量程范圍內,LIS3DH可提供非常精確的測量數據輸出,在額定溫度和長時間工作下,仍能保持卓越的穩定性。


  LIS3DH 加速計芯片內置一個溫度傳感器和三路模數轉換器,可簡單地整合陀螺儀等伴隨芯片。LIS3DH還可實現多種功能,包括鼠標單擊/雙擊識別、4D/6D方向檢測以及省電睡眠到喚醒模式。在睡眠模式下,檢測鏈路保持活動狀態,當一個事件發生時,傳感器將從睡眠模式喚醒,自動提高輸出數據速率。


  其它重要特性還包括一個可編程的FIFO(先入先出)存儲器模塊和兩個可編程中斷信號輸出引腳,可立即向主處理器通知動作檢測、單擊/雙擊事件等其它狀況。


  作為意法半導體最新的MEMS產品,LIS3DH的設計和制造采用意法半導體銷售超過7億支的運動傳感器的制程技術。LIS3DH的軟件和引腳與意法半導體LIS331加速計系列兼容,客戶可直接換件及輕松升級,進而保護在應用開發上的投資。


  2、博世


  智能手環代表:ibody Rainbow、Jawbone UP、Smart Watch2等


  傳感器型號:BMA250


  Bosch Sensortec的BMA250是為電子消費市場設計的一款數字輸出的低功耗三軸加速度傳感器,BMA250加速度傳感器2mmX2mm的小型封裝和數字接口使其滿足眾多消費電子制造商的需求,尤其是在便攜式手持設備上。BMA250加速度傳感器具有從±2g到±16g四個可編程的測量范圍,提供應用程序設計者更多的開發彈性,較高的測量精度,其十位的數據可提供最高精確度小于4mg。


  3、ADI


  智能手環代表:小米手環


  傳感器型號:ADXL362


  ADXL362是ADI公司推出的業界功耗最低的MEMS加速度計。這款3軸數字MEMS加速度計在運動檢測喚醒模式下功耗僅為300nA,與最接近的競爭傳感器相比,相同模式下的功耗低60%。


  在全速測量模式下,數據速率為100Hz時,功耗為2μA,比相同頻率下工作的競爭MEMS加速度計低80%。除了固有的低功耗工作特性,ADXL362MEMS加速度計還有其他能夠提高系統級功效的重要特性。ADXL362還內置增強型樣本活動檢測功能,可準確區分不同種類的運動。該特性可避免誤檢,防止傳感器不必要地開啟系統且縮短電池壽命。


  ADXL362可用作智能型、連續工作、運動激活開關的一部分。當配備喚醒狀態輸出引腳時,運動傳感器可繞過處理器即時觸發啟動系統功能的開關,從而進一步降低系統功耗。極低的功耗使ADXL362適合從醫療保健到基礎設施監控的各種極度注重電池壽命的應用。


  4、旭化成


  智能手環代表:LG Watch、Smart Watch2


  傳感器型號:AK8963


  AK8963三軸電子羅盤芯片是高靈敏度的霍爾傳感器技術。小包裝的AK8963采用磁傳感器檢測的X軸,Y軸和Z軸,地磁,傳感器驅動電路,信號放大器鏈,和一個算術電路處理的信號從每個傳感器。自我測試功能還包括。從其緊湊的足印和細包的特點,適用于地圖去往GPS裝備來實現步行導航功能的手機或平板電腦的目的。


  AK8963具有以下特點:


  •硅單片霍爾效應磁性傳感器器實現三軸磁強計在硅芯片。模擬電路,數字邏輯電路,電源模塊和接口模塊都集成在一個芯片。


  •寬的動態測量范圍和高分辨率較低的電流消耗


  •輸出數據的分辨率:14位(0.6μT / LSB)16位(0.15μT / LSB


  •測量范圍:4900±μT


  •在8赫茲的重復率平均電流:280μ典型


  5、InvenSence


  智能手環代表:LG Watch、Galaxy Gear、Gear Fit


  傳感器型號:MPU-6500


  InvenSence公司的傳感器MPU6500,它集成了3軸陀螺儀及3軸加速度計。InvenSence采用體硅工藝,MEMS芯片及ASIC芯片集成在3.0mm x 3.0mm x 0.9mm尺寸的封裝內。


  MPU6500的MEMS Sensor芯片采用InvenSense的 Nasiri工藝,該工藝能夠與標準CMOS工藝緊密結合,并且使用體硅技術實現主要MEMS結構。ASIC芯片與MEMS芯片采用晶元級鋁鍺建合。的實際問題。 


  

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