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　　數字萬用表的使用已很普及了，但在常見的電工技術方面的書中，半導體的測量方法多是使用指針萬用表，很少介紹使用數字萬用表的。數字萬用表和指針萬用表測量半導體的方法是不同的。
　　一、二極管
　　數字萬用表二極管檔開路電壓約為2.8V，紅表筆接正，黑表筆接負，測量時提供電流約為1mA，顯示值為二極管正向壓降近似值，單位是mV或V。硅二極管正向導通壓降約為0.3~0.8V。鍺二極管鍺正向導通壓降約為0.1~0.3V。并且功率大一些的二極管正向壓降要小一些。如果測量值小于0.1V，說明二極管擊穿，此時正反向都導通。如果正反向均開路說明二極管PN節開路。對于發光二極管，正向測量時二極管發光，管壓降約1.7V左右。
　　二、三極管
　　三極管有兩個PN節，發射節(be)和集電節(bc)，按測量二極管的方法測量即可。在實際測量時，每兩個管腳間都要測正反向壓降，共要測6次，其中有4次顯示開路，只有兩次顯示壓降值，否則三極管是壞的或是特殊三極管(如帶阻三極管、達林頓三極管等，可通過型號與普通三極管區分開來)。在兩次有數值的測量中，如果黑表筆或紅表筆接同一極，則該極是基極，測量值較小的是集電節，較大的是發射節，因為已判斷出基極，對應可以判斷出集電極和發射極。同時可以判斷：如果黑表筆接同一極，則三極管是PNP型，如果紅表筆接同一極，則三極管是NPN型;壓降為0.6V左右的是硅管，壓降為0.2V左右的是鍺管。
　　三、可控硅
　　可控硅陽極與陰極及控制極是開路的，據此可以確定陽極管腳和判斷可控硅是否擊穿。可控硅控制極和陰極間也是PN節，但是大功率可控硅控制極和陰極間有一個保護電阻，測量時顯示值為電阻上的壓降。
　　四、光耦
　　光耦的一側是發光二極管，測量時壓降約1V左右，另外一側是三極管，有的只引出c、e，測量正反向均截止，如果三個腳都引出，測量特性同上面三極管(多為NPN管)。當用一個萬用表使二極管正向導通，此時用另外一塊萬用表測三極管c對e導通壓降約為0.15V;斷開接二極管的萬用表，三極管c對e截止，說明該光耦是好的。

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