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蒸發(fā)鍍

濺射鍍

離子鍍

低壓CVD

等離子體CVD

光CVD

方法

電阻加熱

電子束

高頻感應(yīng)

激光

反應(yīng)

分子束外延

離子束輔助

二極、三極、四極

射頻

偏壓

對(duì)象靶

磁控

離子束

反應(yīng)

直流二級(jí)

空心陰極

活性反應(yīng)蒸發(fā)

射頻放電

電弧

濺射

高頻感應(yīng)加熱

離子束鍍

離子團(tuán)束鍍

電阻加熱

高頻感應(yīng)加熱

氙燈脈沖加熱

熱絲

有機(jī)金屬

超高真空

直流

射頻

脈沖

微波

電子回旋

共振

激光

紫外光

鍍膜室真空度Pa

10^-2~10^-7

1~10^-2

1~10^-1

10³~10⁴

10^-1~10⁴

1~10²

基板溫度℃

常溫~500

常溫~500

200~600

700~1200

200~600

常溫~500

沉積粒子能量eV

10^-1~1

1~10

10~10³

-

-

-

沉積速率μm/min

10^-1~10

10^-2~1

10^-1~10

10^-1~10

10^-1~10

10^-1~10

繞鍍性

差

差

良

優(yōu)

優(yōu)

良

附著力

弱

中

強(qiáng)

強(qiáng)

強(qiáng)

中