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1  引言

    大功率電力電子器件[8][9]及大規模集成電路技術的發展, 使得采用高—高直接變換方式實現高壓(6 kV，10 kV)變頻調速裝置成為可能。與高—低—高變換方式的高壓變頻器相比， 高—高變頻器具有體積小、重量輕、效率高、性能價格比高等優點，因而得到越來越多的應用。國內也有多家公司推出了采用基于IGBT器件的單元串聯單相橋式主電路結構的高壓變頻器產品，這種主電路結構由于IGBT器件數量多、信號調制復雜而使得整體可靠性較差，驅動能力低，其輸出功率也因IGBT單管容量有限而受到限制。而IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor）是90年代在晶閘管技術的基礎上，結合IGBT[5]和GTO等成熟技術開發的新型器件。因此，它比IGBT更適合于高電壓、大容量方面的使用。同時IGCT在GTO的基礎上進行了重新優化設計....[查看詳細]