| <script
var cpro_id = "u1457042"; <iframe id="iframeu1457042_0" gcym?rdid=1457042&dc=2&di=u1457042&dri=0&dis=0&dai=3&ps=425x362&dcb=BAIDU_SSP_define&dtm=BAIDU_DUP_SETJSONADSLOT&dvi=0.0&dci=-1&dpt=none&tsr=0&tpr=1459711073634&ti=%E5%A4%A7%E5%8A%9F%E7%8E%87%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E7%94%B5%E8%B7%AF%E7%9A%84%E8%AE%BE%E8%AE%A1%E5%8F%8A%E5%85%B6%E5%BA%94%E7%94%A8_%E7%94%B5%E6%B0%94%E8%87%AA%E5%8A%A8%E5%8C%96%E6%8A%80%E6%9C%AF%E7%BD%91&ari=1&dbv=0&drs=1&pcs=645x335&pss=970x426&cfv=0&cpl=22&chi=50&cce=true&cec=gbk&tlm=1402381997<u=http%3A%2F%2Fwww.dqjsw.com.cn%2Fdiangongdianzi%2Fdianlidiangong%2F3112.html&ecd=1&psr=1366x768&par=1366x728&pis=-1x-1&ccd=24&cja=false&cmi=34&col=zh-CN&cdo=-1&tcn=1459711074&qn=31983427094eda03&tt=1459711073607.528.626.627" vspace="0" hspace="0" marginwidth="0" marginheight="0" scrolling="no" style="border:0; vertical-align:bottom;margin:0;" allowtransparency="true" align="center,center" width="200" height="200" frameborder="0"> |
1引言
作為逆變電路中的核心部件——大功率開關(guān)器件，一般分為三大類型，即雙極型、單極型和混合型。雙極型GTO、GTR、SITH等；單極型有功率MOSFET、SIT等；混合型有IGBT、MGT（MOS門極晶體管）等。這些大功率器件的運(yùn)行狀態(tài)及安全性直接決定了變頻器和逆變器性能的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。本文重點(diǎn)介紹GTR的基極驅(qū)動(dòng)電路。
大功率晶體管（GiantTransistor—GTR）也稱巨型晶體管，是三層結(jié)構(gòu)的雙極全控型大功率高反壓晶體管，它具有自關(guān)斷能力，控制十分方便，并有飽和壓降低和比較寬的安全工作區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，在許多電力變流裝置中得到了應(yīng)用。
在電力電子裝置中，GTR主要工作在開關(guān)狀態(tài)。GTR是一種電流控制型器件，即在其基極注入電流IB后，集電極便能得到放大了的電流IC，電流放大倍數(shù)由hFE來評價(jià)。對于工作在開關(guān)狀態(tài)的GTR，關(guān)鍵的技術(shù)參數(shù)是反向耐壓VCE和正向?qū)娏鱅C。由于GTR不是理想的開關(guān)，當(dāng)飽和導(dǎo)通時(shí)，有管壓降VCES，關(guān)斷時(shí)有漏電流ICEO；加之開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中具有開通時(shí)間ton。（含延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr），關(guān)斷時(shí)間toff（含存貯時(shí)間ts和下降時(shí)間tf），因此使用GTR時(shí)，對其集電極功耗PC與結(jié)溫Tjm也應(yīng)給予足夠的重視。
2基極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原則
GTR基極驅(qū)動(dòng)電路和性能直接影響著GTR的工作狀況，因此在設(shè)計(jì)基極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮以下兩點(diǎn)：最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)方式和自動(dòng)快速保護(hù)。
所謂最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)，就是以理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形去控制GTR的開關(guān)過程，以便提高開關(guān)速度，減小開關(guān)損耗。理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形如圖1所示。由圖1可以看出，為加快開通時(shí)間和降低開通損耗，正向基極電流在開通初期不但要求有陡峭的前沿，而且要求有一定時(shí)間的過驅(qū)動(dòng)電流IB1。導(dǎo)通階段的基極驅(qū)動(dòng)電流IB2應(yīng)使GTR恰好維持在準(zhǔn)飽和狀態(tài)，以便縮短存儲時(shí)間ts。一般情況下，過驅(qū)動(dòng)電流IB1的數(shù)值選為準(zhǔn)飽和基極驅(qū)動(dòng)電流值IB2的3倍左右，過驅(qū)動(dòng)電流波形前沿應(yīng)控制在0.5μs以內(nèi)，其寬度控制在2μs左右。關(guān)斷GTR時(shí)，反向基極驅(qū)動(dòng)電流IB3應(yīng)大一些，以便加快基區(qū)中載流子的抽走速度，縮短關(guān)斷時(shí)間，減小關(guān)斷損耗，實(shí)際應(yīng)用中，常選IB3=IB1或更大一些。這種基極驅(qū)動(dòng)波形一般由加速電路和貝克箝位電路來實(shí)現(xiàn)。
另外，GTR的驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)有自保護(hù)功能，以便在故障狀態(tài)下能快速自動(dòng)切除基極驅(qū)動(dòng)信號，以避免GTR的損壞。保護(hù)電路的類型有多種，根據(jù)器件及電路的不同要求可進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。為了提高開關(guān)速度，可采用抗飽和保護(hù)電路；要保證開關(guān)電路自身功耗低，可采用退飽和保護(hù)電路；要防止基極欠驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致器件過載狀態(tài)，可采用電源電壓監(jiān)控保護(hù)。此外，還有脈沖寬度限制電路以及防止GTR損壞的過壓、過流、過熱等保護(hù)電路。
基極驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成形式很多，歸結(jié)起來有三個(gè)明顯的趨勢：
1）為了提高工作速度，都以抗飽和貝克箝位電路作為基本電路；
2）不斷完善和擴(kuò)大自動(dòng)保護(hù)功能；
3）在開通和關(guān)斷速度方面不斷加以改進(jìn)和完善。
3基極驅(qū)動(dòng)電路一例
3.1電路組成與功能
下面介紹一種實(shí)用高效自保護(hù)基極驅(qū)動(dòng)電路，它不但能維持GTR工作在準(zhǔn)飽和狀態(tài)，而且可以對GTR的過載提供快速可靠的保護(hù)，防止GTR進(jìn)入放大區(qū)。另外可以改善GTR的開關(guān)特性，縮短開關(guān)時(shí)間，降低驅(qū)動(dòng)功率，提高驅(qū)動(dòng)效率，具體電路如圖2所示。它主要由信號隔離電路，退飽和檢測電路，控制信號綜合電路和具有反偏壓的自適應(yīng)輸出電路組成。信號隔離電路由光電耦合器BD構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)邏輯控制電路與驅(qū)動(dòng)電路之間的電氣隔離；退飽和檢測電路由二極管D6和電壓比較器A1組成。當(dāng)GTR的集射極電壓VCE高于某一規(guī)定值時(shí)，電壓比較器A1輸出過載保護(hù)信號?？刂菩盘柕木C合電路由三極管V1構(gòu)成。其功能是將正常的開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號與退飽和禁止信號疊加處理后送至輸出級。具有反偏壓的自適應(yīng)輸出驅(qū)動(dòng)級由三級管V3、V4，二極管D7、D8、D9，電容器C2等元器件組成，它的功能是提高開關(guān)速度和產(chǎn)生反偏壓驅(qū)動(dòng)波形。
3.2驅(qū)動(dòng)電路的工作原理
當(dāng)輸入信號Vin為高電平時(shí)，光耦截止，B點(diǎn)近似等于電源電壓，A點(diǎn)為R3與R4的分壓電平，則VB>VA，電壓比較器輸出端C為低電平，三極管V1截止，V2導(dǎo)通，V3、V4截止，從而GTR截止。
當(dāng)輸入信號Vin由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，光耦輸出由截止變?yōu)閷?dǎo)通。C1經(jīng)R8、D3進(jìn)行充電，利用電容二端的電壓不能突變的特點(diǎn)，V2的基極電位也變?yōu)榱?，V2截止，V3、V4導(dǎo)通，經(jīng)過加速網(wǎng)絡(luò)C2、R12使GTR迅速飽和導(dǎo)通；當(dāng)GTR導(dǎo)通后，它的VCE隨之下降，D6導(dǎo)通，使B點(diǎn)的電位箝位于VB=VCE<VA，電壓比較器A1輸出端C變?yōu)楦唠娖?，使V1導(dǎo)通，V2的基極電位維持在地電位上；維持V2截止，V3、V4導(dǎo)通。同時(shí)V1的導(dǎo)通給C1提供了放電回路，使電容C1的兩端電壓下降為零，為下次工作做準(zhǔn)備。
當(dāng)Vin由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，光耦輸出級由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗笵1導(dǎo)通，D2截止，重新使VB>VA，C點(diǎn)輸出低電平，V1截止，V2導(dǎo)通，由C2、V5、D10、D9等組成的反偏電路使GTR迅速關(guān)斷，D6同時(shí)截止。下一周期將重復(fù)上述工作過程。
帶有反偏驅(qū)動(dòng)電路的工作原理如下：當(dāng)V4導(dǎo)通時(shí)，GTR也導(dǎo)通。通過加速電容C2的比較大的充電電流向GTR基極提供過驅(qū)動(dòng)電流，最大電流僅受R11阻值限制。充電結(jié)束后，進(jìn)入導(dǎo)通階段，GTR的基極電流由R11、R12和D8共同決定，此時(shí)C2充有左正右負(fù)的電壓。當(dāng)V4關(guān)斷V5導(dǎo)通時(shí)，電容C2經(jīng)V5的CE結(jié)→D10→D9→C2放電。GTR的反偏電壓等于D10的導(dǎo)通壓降，約為07V左右，使GTR迅速截止。
3.3保護(hù)電路工作原理
在正常工作過程中，由于D6導(dǎo)通，使VB=VCE；若GTR發(fā)生過載或其它原因退出飽和狀態(tài)，使VCE上升到VB=VCE
3.4驅(qū)動(dòng)電路的器件要求
首先對光電耦合器的要求是高速型光耦。這是因?yàn)閷τ跇蚴侥孀冸娐?，同一橋臂的上下兩個(gè)互補(bǔ)的控制信號之間應(yīng)當(dāng)設(shè)置死區(qū)時(shí)間tΔ（15～20μs之間），因普通光耦開關(guān)時(shí)間較長，一般在（4～6μs）之間，而后級驅(qū)動(dòng)的延遲時(shí)間長達(dá)10μs左右，而且可能出現(xiàn)開通與關(guān)斷時(shí)間不等的現(xiàn)象，使正常的死區(qū)時(shí)間得不到保證。為了能安全可靠地工作，必須選用高速型光耦，并把后級驅(qū)動(dòng)總延遲嚴(yán)格限制在5μs以內(nèi)。例如圖2中選用高速型光耦6N137就能滿足系統(tǒng)的要求。
其次對光耦的要求是具有較強(qiáng)的抗干擾能力。這是因?yàn)樵贕TR的開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中，P點(diǎn)的電位是發(fā)生跳變的（圖3）。如GTR1導(dǎo)通或D1續(xù)流時(shí)，P點(diǎn)與M點(diǎn)等電位；而GTR2導(dǎo)通或D2續(xù)流時(shí)，P點(diǎn)又與N點(diǎn)等電位。P點(diǎn)電位的跳變速度由二極管反向恢復(fù)時(shí)間決定。對于中小功率三相異步電機(jī)變頻器，P點(diǎn)的dv/dt將達(dá)到每秒數(shù)千伏。若光耦抗干擾能力不強(qiáng)。P點(diǎn)電位的跳變將會通過光耦內(nèi)部寄生電容耦合，在驅(qū)動(dòng)電路中形成干擾脈沖，致使GTR發(fā)生誤動(dòng)作而不能正常工作。
4結(jié)語
驅(qū)動(dòng)電路是GTR安全工作的基礎(chǔ)，精心設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，精心選擇驅(qū)動(dòng)電路元器件和參數(shù)，是保證整機(jī)可靠運(yùn)行的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。近年已廣泛采用這類專用模塊驅(qū)動(dòng)電路，（如UAA4002），使GTR的工作更加安全可靠。實(shí)踐證明，本文設(shè)計(jì)的這套帶反偏壓自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡單，性能可靠，能滿足采用GTR逆變器的一般驅(qū)動(dòng)要求。
