眾所周知，閃存是一種永久性的半導(dǎo)體可擦寫存儲器，U盤、SD存儲卡、SSD等都屬于閃存產(chǎn)品。
目前大多數(shù)SSD閃存顆粒主要分為MLC、TLC、SLC。其中，TLC顆粒憑借著3D堆疊技術(shù)的成熟和成功應(yīng)用，其穩(wěn)定性、讀寫性等相關(guān)性能有了極大的提升，且3D TLC擁有制造成本低的優(yōu)勢，迅速成為大多數(shù)消費(fèi)者、客戶和企業(yè)解決方案的首選NAND。
為突破半導(dǎo)體制程發(fā)展的瓶頸，閃存原廠紛紛通過3D堆疊來實(shí)現(xiàn)固態(tài)硬盤容量的可持續(xù)提升。因此，近年來，NAND制造商仍在挑戰(zhàn)3D TLC的層數(shù)極限，從最初的32層、48層、64層，到最新的96層，甚至更高層的產(chǎn)品。
96層的3D TLC究竟有何不同？
相較于64層堆疊工藝，96層堆疊工藝結(jié)合了先進(jìn)的電路和制造工藝技術(shù)，其每單元芯片尺寸存儲容量增加約40%。該工藝降低了位存儲價格并提高了每個硅晶片內(nèi)存容量的可制造性。
相較于2D TLC，3D TLC 利用新的技術(shù)（即3D NAND技術(shù)）使得顆粒能夠進(jìn)行立體式的堆疊，從而解決了由于晶圓物理極限而無法進(jìn)一步擴(kuò)大單die可用容量的限制，在同樣體積大小的情況下，極大的提升了閃存顆粒單die的容量體積，進(jìn)一步推動了存儲顆粒總體容量的飆升。
舉個例子：
2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數(shù)間平房，這些平房整齊排列，但是隨著需求量的不斷增加，平房的數(shù)量不斷井噴，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數(shù)量的平房而無法繼續(xù)增加；
3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于平房，因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層、96層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。
優(yōu)異的96層3D TLC（BiCS4）存儲解決方案
隨著NAND Flash制程演進(jìn)與市場需求的發(fā)展，96層3D TLC固態(tài)硬盤（SSD）在市場上具備較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢，而威剛科技在Flash閃存技術(shù)上也再次躍進(jìn)，推出了兼具創(chuàng)新與符合嚴(yán)苛工業(yè)應(yīng)用的閃存解決方案——96層3D TLC（BiCS4）存儲解決方案，引領(lǐng)工業(yè)存儲全面升級。
威剛科技將96層3D TLC（BiCS4）閃存導(dǎo)入各種規(guī)格的固態(tài)硬盤，包括2.5寸、M.2 2280、M.2 2242、mSATA，以及SD / microSD記憶卡。
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威剛科技96層3D TLC存儲產(chǎn)品特點(diǎn)：
● 可提供更高容量的存儲空間，耐用度也值得信賴；
● 支持工業(yè)級耐寬溫(-40°C至85°C)和與3K P/E Cycle（擦寫次數(shù)），功耗方面亦有更優(yōu)異的表現(xiàn)；
● 還可搭配威剛科技自主開發(fā)固件，大幅提升固態(tài)硬盤的寫入速度和穩(wěn)定性，效能如虎添翼。
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搭載自研固件，效能強(qiáng)勢升級
作為全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)導(dǎo)品牌，威剛科技長期深入各種工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，致力于為各種應(yīng)用場景打造理想的定制化解決方案。通過威剛科技獨(dú)立專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)的努力，現(xiàn)已成功研發(fā)出一套適用于SATA III固態(tài)硬盤的全新固件，包括使用96層3D NAND的固態(tài)硬盤。
這套固件除了可大幅提升效能與穩(wěn)定度、支持RAID數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制之外，還可打造規(guī)格完整的產(chǎn)品陣容，如輕松生產(chǎn)64GB或128GB等較小容量的產(chǎn)品，提供給客戶更富彈性的選擇，以及更實(shí)時的服務(wù)。
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威剛科技96層3D TLC存儲解決方案以全方位高度整合，確保嚴(yán)苛應(yīng)用中的出色性能和最佳可靠度，廣泛運(yùn)用在各種領(lǐng)域，如快速興起的AIoT、智能交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、5G網(wǎng)通、監(jiān)控、工業(yè)自動化等。
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隨著市場對于大容量存儲設(shè)備需求的不斷提高，閃存顆粒市場的3D NAND已經(jīng)成為主流，而威剛科技96層3D TLC存儲產(chǎn)品讓消費(fèi)者體驗(yàn)到更大存儲容量的同時，享受到更優(yōu)異的存儲性能。
