發布日期：2022-04-26 點擊率：115
日前，ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統展將“低碳能效獎“頒給了國內首款1700V, 3Ω SiC MOSFET P3M173K0K3，該產品最大導通電流(Ids_max)為2A。
P3M173K0K3是派恩杰半導體有限公司針對高壓輔助電源應用而開發，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業電機驅動，光伏，直流充電樁，儲能變換器器以及UPS等三相功率變換系統中輔助電源設計，可以提高輔助電源系統效率、簡化驅動電路設計，降低散熱成本，大幅度減少輔助開關電源成本。
工業三相供電(400 VAC to 690VAC)的功率變換系統，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。為了給系統中的控制器，顯示器，風扇以及保護供電，通常需要從高壓母線取電，輸出小功率5-24V直流給輔助設備供電。由于母線電壓通常大于600V,因此輔助電源需要采用2個800V Si MOS構成的雙管反激電路，而采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的電壓，更小的Rds(on),可以采用1個 SiC MOS構成更為簡單的反激電路實現，從而大幅減小了元器件數量，設計更簡單，驅動設計更容易，縮短開發周期，因此可以用于300V 至1000V輸入的反激式拓撲中。SiC MOS由于具有更小的開關損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，無需風冷散熱，這極大減少了制造成本，提高了系統的可靠性。與使用硅器件相比，更小的損耗同時意味著可以工作在更高的開關頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業設備實現顯著小型化、高可靠性和節能化。
圖1 三相功率變換系統高壓輔助電源應用
應用實例
派恩杰采用1700V SiC MOS P3M173K0K3，推出65W高壓輔助電源解決方案，規格如下：
? 輸入電壓: 寬電壓范圍 300Vdc -1000Vdc
? 輸出電壓: 24Vdc/2.7A
? 工作頻率: 100KHZ
? 拓撲: 單端反激式
圖2 派恩杰65W高壓輔助電源Demo
效率與成本
如圖3，圖4 所示，相同條件下從實測圖可以很清晰的看出派恩杰PNJ方案相對普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V滿載下效率提升將近4%。與國外競爭產品相比，PNJ推出1700V,3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V,1Ω SiC MOS SCT2H12NZ達到相同水平。考慮到高壓輔助電源，輸入電流通常較小，導通損耗占比較小，開關損耗主導。派恩杰通過優化寄生電容，從而獲得更小的開關損耗，采用較大的Rds(on)即可獲得與國外競品相同的效率。較大的Rds(on)，可以采用更小的芯片面積，從而降低SiC生產成本，獲得價格優勢。
圖3 不同輸入電壓滿載時的效率
圖4 300V不同負載時的效率
派恩杰推出1700V SiC MOS適合輔助電源設計,更能勝任在特別需要更高耐壓以及雪崩等級的工業領域的設計要求,更快的開關速度，極小的開關損耗大幅降低了系統損耗，使得變換器高效化，同時可以通過高頻化讓電路中的磁性單元體積更小,重量更輕。極小的損耗加上更優異的熱傳導系數,讓工程師在設計散熱方面不再煩惱。更高的耐壓簡化了輔助電源結構，減少了元器件和驅動設計的復雜度，從而大幅降低了輔助開關電源系統成本。
