發布日期：2022-07-14 點擊率：74
微機電系統芯片現在可以接合切割分離后的CMOS ASIC。據VTI Technologies 的開發人員介紹, 稱之為“片上微機電系統”的技術在整個微機電系統晶圓切片之前把ASIC裸片接合在其頂上。
“片上微機電系統技術和傳統的封裝有著根本的不同”VTI 公司研究部副總裁Heikki Kuisma介紹說,；一位汽車市場上的微機電系統加速儀和壓力傳感器制造商說,“現在,即使是最后的測試和校準都是晶片級的制程”。
除了對晶片級的校準和測試有利,VTI Technologies 同時聲稱 片上微機電系統使制造更加薄的芯片成為可能。VTI展示了復合MEMS和ASIC測試面積只有4平方毫米但是只1毫米薄的晶片的技術。一般的微機電系統芯片接合ASIC 晶片的厚度在在2到5毫米。最后,VTI稱它將可以制造厚度是現在的芯片三分之一薄的片上微機電系統。
片上微機電系統的制程是首先測試微機電系統晶片；然后將超薄的ASIC裸片壓在微機電系統晶片的最佳位置上；之后ASIC片上滴上300微米的焊接球,這里使用的是焊接倒裝式芯片技術。
最后,使用底部填充把ASIC和MEMS分離,目的是為了鈍化和提高可靠性；最終的驗證可以在復合片上微機電系統設備切片前的晶圓級上進行。
在下個階段,VTI說它將關注多ASIC芯片集成在MEMS晶片上的技術,這種技術擁有制造復雜電路的3D堆疊。VTI說這種技術可以利用低于3D技術的的成本,而令多個20微米厚的ASIC集成在MEMS芯片頂上,同時為了量產正努力改進技術。
