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發(fā)布日期:2022-07-14 點(diǎn)擊率:43
EPROM、EPROM、UV-EPROM、鐵電RAM和各種偽RAM組合已經(jīng)開(kāi)始走下坡路,磁性RAM等其它產(chǎn)品雖開(kāi)始受到矚目,但由于眾多經(jīng)濟(jì)和技術(shù)原因卻受到質(zhì)疑。
DRAM)接口來(lái)設(shè)計(jì)。這種可管理的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)可以與主芯片組/處理器實(shí)現(xiàn)無(wú)縫集成,并且主系統(tǒng)無(wú)需再要應(yīng)對(duì)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器件的復(fù)雜性和不足問(wèn)題。
用于代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND
圖1:主芯片組與獨(dú)立NAND閃存直接接口的系統(tǒng)框圖。
用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可管理NAND
圖2:可管理NAND存儲(chǔ)器主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),它通過(guò)管理帶NAND控制器的內(nèi)置NAND閃存和集成在同一器件中的閃存文件系統(tǒng)降低了系統(tǒng)復(fù)雜性。
可管理NAND混合產(chǎn)品
圖3:一些混合解決方案將RAM和可管理NAND集成在同一個(gè)器件中。
下一代存儲(chǔ)子系統(tǒng)
圖4:全功能存儲(chǔ)器是可管理存儲(chǔ)子系統(tǒng)的一個(gè)示例,它在同一個(gè)封裝內(nèi)同時(shí)集成了帶內(nèi)置啟動(dòng)NOR閃存的存儲(chǔ)器控制器、NAND閃存和RAM(a)??刂破骺梢蕴幚硇枨蠓猪?yè)和其它存儲(chǔ)器管理功能(b)。
Vijay K. Devadiga
SST公司NAND與智能卡模塊業(yè)務(wù)部高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷工程師