發布日期：2022-07-14 點擊率：32
三菱電機早在10年前已向日本電動汽車行業提供功率半導體。現在，三菱電機的智能功率模塊(IPM)具有體積小、開關速度快、功耗低、抗干擾能力強、無須防靜電措施等優點，大大縮短了客戶項目開發周期。
三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部長谷口豐聰先生說：“傳統的燃油不單造成空氣污染，令中國的能源供應矛質更為突出，發展電動汽車等新能源汽車已成大勢所赹，三菱電機憑著累積多年的經驗，能為汽車產業提供最優化的功率模塊，推動市場發展。”
IPM不同于IGBT模塊，IPM有控制電路，不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起，而且還內藏有欠電壓、短路和過溫等故障檢測電路，并可將故障檢測信號輸出到控制單元。由于有控制電路的限制，開發大電流、高電壓的IPM模塊比較困難。但是由于有了控制電路，客戶應用設計比較方便，而且產品的穩定性也有所提升。
三菱電機的第5代L1系列智能功率模塊，將硅片溫度傳感器設置在IGBT硅片正中央處，實現了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBTTM硅片技術，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優化的VCE(sat)與Eoff折衷曲線。
L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外，L1系列IPM還首次開發了25A/1200V和50A/600V的小封裝產品以滿足客戶節約成本的需求。
三菱電機最新開發的第6代IGBT模塊，采用優化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT硅片，進一步降低模塊的開關和通態損耗。第6代IGBT模塊內的續流二極管硅片，由于采用薄晶片工藝和擴散技術，這種硅片優化了緩沖層雜質分布和本征層、緩沖層厚度，減小了反向恢復的拖尾電流，并且獲得更好的VF和Qrr的折衷關系。
實驗證明新型硅片具有足夠寬SCSOA和至少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片，運行結溫最高可達175°C。該IGBT模塊產品豐富，有1200V和1700V兩個電壓等級，額定電流從35A到1000A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、二單元和一單元模塊。全系列產品采用同一封裝平臺從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力。
三菱電機機電（上海）有限公司簡介
三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業集團。在最新的《財富》500強排名中，名列第210。
作為一家技術主導型的企業，三菱電機擁有多項領先技術，并憑強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據著重要的地位。
三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命。憑借優越的技術與創造力貢獻產業的發展以促進社會繁榮。
三菱電機半導體產品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現變頻、節能和環保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產品將為您在各種模擬/數字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。
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