欧美成人黄色网_欧美精品久久_国产在线一区二区三区_免费视频久久久_亚洲二区视频_欧美大片免费高清观看

通信應用對SRAM的強勁需求以及向高利潤產品的轉移推動著SRAM價格上揚

價格可能是今天SRAM市場的最大問題。通信應用對SRAM的需要越來越大,加上半導體供應商正將其產品系列轉向更有利可圖的存儲器產品,使得價格不斷上升,并延長了交貨時間。

“1999年第四季度,SRAM制造商將其價格平均提高了10%,至少在2000年的整個上半年仍將保持這一高價格,” Semico調研公司分析家Sherry Garber說。

SRAM的平均銷售價格(ASP)從去年第一季度的美元上升到第四季度的美元。Semico預計ASP在2000年將達到美元。

根據制造商的說法,交貨周期平均為14至16個星期。

Integrated Device Technology公司市場副總裁Dave Cote說:“對高性能標準及通信存儲器的需求早已超過人們對這一市場回彈速度的關心。”不斷提升的價格將帶來極大的收益及強勁的增長。1999年,世界范圍的SRAM市場為47億美元及11.9億個SRAM。盡管2000年的銷售量將下降5.9%,約為112萬個,其收入仍將上升39.4%,達到63億美元。通信市場希望其增長速度更快,達到SRAM銷售的59.1%。

領先的SRAM供應商目錄

Cypress Semiconductor Corp.

3901 N. First St.

San Jose, Calif. 95134

(408) 943-2600, (800) 858-1818

發展

Cypress用了去年整整一年的時間以SRAM供應商的身份在蜂窩電話市場占據一席之地。“1998年Cypress還未進入蜂窩電話市場,1999年我們就銷售了大約300萬部電話,”營銷部副總裁Dan McCranie說,“2000年,我們最少將賣出1千萬部電話。我們在開發中結合了蜂窩設計及芯片結構,為蜂窩電話構建高速、低功率的SRAM。”該公司現已提供其MoBL系列的1-、2-,和 4MSRAM產品。

在1999年下半年,該公司開始在其位于Bloomington的晶圓廠生產8英寸、0.5μm產品,該工廠將于今年第三季度投入生產。Cypress在菲律賓新建了一條測試及組裝生產線,每季度可加工450萬個FBGA封裝器件。

計劃

今年下半年,Cypress將推出其MoBL系列的8Mb和16Mb微功率SRAM。該公司還將進入雙數據速率(DDR)SRAM領域。McCranie說“我們正在制訂32Mb部件的計劃,當我們達到μm的工藝技術后,還將制造64Mb部件。”

Hitachi Semiconductor (America) Inc.

179 E. Tasman Dr.

San Jose, Calif. 95134

(800) 285-1601

發展

雖然Hitachi繼續支持慢速SRAM市場,但其產品大多是高速SRAM。去年,該公司聲稱推出了一種能夠在500MHz速率下工作的SRAM,其抵抗宇宙射線誘導軟錯誤的能力提高了100倍,這種錯誤是移動電腦用戶乘坐飛機時碰到的最頭痛的問題。

這種新技術還采用了shallow triple-well結構和一種堆棧存儲器單元機構。

該公司還開始建造一個12英寸、μm晶圓加工廠。新工廠是臺灣UMC與Hitachi的合資企業,將于2001年下半年投入生產。

計劃

今年年底,Hitachi將為低功率及低電壓應用提供8Mb SRAM,還將提供8Mb和18Mb同步SRAM。最后,該公司還將推出具有333和500MHz工作周期的1Mb至9Mb SRAM,以支持較大的Level 2和Level 3 cache應用。

IBM Corp.

Microelectronics Division

1580 Rte. 52

Hopewell Junction, N.Y. 12533

(914) 894-2121

發展

IBM在1999年繼續推動著性能的提高。IBM提供具有雙倍和單數據性能的1-、4-和8Mb高速SRAM。

“我們不斷推動性能的提高,但我們的用戶要求更多,” SRAM應用及市場經理Roger Verhelst說,“過去一年來,向DDR功能的轉移過程雖然緩慢,但很穩定。”

1999年2月,IBM推出了帶DDR功能的8Mb SRAM。這些器件速度可達600MHz。

IBM的高端策略帶來了收益。“對我們的客戶來說,1999年是令人興奮的,這在很大程度上要歸因于Internet基礎設施的銷售,”Verhelst說,“今年到現在為止,這一發展趨勢仍在繼續,所以我們估計2000年仍將有很好的銷售成績。”

計劃

未來一年將繼續發展IBM的產品系列。“我們希望繼續活動于SRAM舞臺,向用戶提供更高的密度和更高的性能,以滿足用戶需求,” Verhelst說,“我們將在三到五年內向不同的高速緩存功能轉移,它不是基于SRAM。”

Integrated Device Technology Inc.

2975 Stender Way

Santa Clara, Calif. 95054

(408) 492-8671, (800) 345-7015

發展

過去一年來,IDT將重點放在通信市場。市場副總裁Dave Cote說:“我們確實將重點放在通信市場,并且努力制造更多通信專用產品。”今年8月,IDT推出了與Micron Technology合作開發的Zero Bus Turnaround結構,適于路由器及交換機應用。

目前,該公司提供4Mb至9Mb的產品。

該公司還與Cypress和Micron合作制訂了四倍數據速率SRAM規范。現已提供樣品。

計劃

IDT將努力提高其首個四倍數據速率SRAM??512-K ?18器件的產量。該公司稱,這些產品可實現333-MHz的性能。該器件最終將用于下一代交換機和路由器,它們在數據速率高于200 MHz的條件下工作。

Mitsubishi Electronics America Inc.

Electronic Device Group

1050 E. Arques Ave.

Sunnyvale, Calif. 94086

(408) 730-5900

發展

今年,Mitsubishi的電子器件部推出了兩種產品,它們在可進行表面貼裝的堆棧式芯片級封裝中結合了該公司的BGO DINOR閃速存儲器和低功率SRAM (LPSRAM)。該公司稱,這種產品將16Mb閃速存儲器與4或2Mb LPSRAM結合起來,以滿足手機及GPS市場的需求。

Mitsubishi可批量提供16和32Mb SRAM。另外,該公司也為蜂窩電話生產2、4和8Mb低功率SRAM。

計劃

在未來一年中,Mitsubishi的電子器件部將增加其16Mb SRAM的生產,預計月產量將達1,000萬件。該公司還將提供多種選擇以滿足容量需求。

“我們面臨的最大挑戰是提高容量以滿足市場期望,”存儲部門的助理副總裁Narayan Purohit說,“由于容量問題變得越來越重要,我們必須考慮能夠得到的各種選擇方案。”

Motorola Inc.

Semiconductor Products Sector

5005 E. McDowell Road

Phoenix, Ariz. 85008

(602) 244-7346

發展

1999年3月,Motorola宣布推出超快SRAM,它采用銅互連技術來獲得超低功耗。這種超快8Mb Late Write SRAM將銅互連技術與μm CMOS技術相結合起來,提供優于333MHz的性能。Motorola FSRAM零件編號為MCM63R836FC,可提供Level 2 cache性能,功耗卻比以前的BiCMOS FSRAM低50%至75%。1999年第二季度,該公司還推出了兩種HiPerMOS產品??4Mb Late Write SRAM和8Mb雙倍數據速率元件。

Motorola還提供同步SRAM(包括集成cache)和異步SRAM(如BurstRAM)、根據內容尋址(content-addressable)的存儲器、雙端口存儲器、FSRAM和Tag RAM。

計劃:無

NEC Electronics Inc.

2880 Scott Blvd.

Santa Clara, Calif. 95050

(408) 588-6000

計劃

NEC聲稱可提供各種管道和burst SRAM,能夠滿足多種價格及性能的應用。今年,該公司與業界其它幾個主要的制造商合作開發出了用于SRAM和NOR閃速存儲器產品的標準堆棧多芯片封裝(MCP)。MCP支持從4至128Mb的NOR閃速存儲器和從1至128Mb的SRAM。

計劃

NEC Electronics將繼續集中于針對PC-cache應用的SRAM,同時計劃擴展到其它市場領域。它將推出用于網絡互連的電信4Mb和8Mb標準同步SRAM。NEC還計劃推出適于移動市場的4Mb低功率SRAM。

Samsung Semiconductor Inc.

3655 N. First St.

San Jose, Calif. 95134-1713

(408) 544-4124

發展

Samsung稱,在過去幾個月里,它已開始減少在PC-cache市場的投入,而轉向電信及網絡市場。該公司推出了用于移動市場、工作于電壓的4Mb和8Mb SRAM。Samsung宣布還將為網絡應用推出一系列頻率為600MHz的新型高速DDR同步SRAM。該公司說,它們已從舊的DRAM加工廠轉移,提高了SRAM加工廠的生產能力。

計劃

Samsung稱將繼續推出用于工作站及服務器的Level 3 SRAM。

Toshiba America Electronic Components Inc.

9775 Toledo Way

Irvine, Calif. 92618

(949) 455-2000

發展

2000年3月,Toshiba宣布推出低功率8Mb SRAM及采用堆棧多芯片封裝的8/64Mb NOR閃速存儲器件。高速SRAM產品部業務拓展經理Paul Liu 說:“隨著性能的提高,密度肯定會越來越高。”

“這一市場過去一直面向cache應用,但今天卻將其50%放在網絡應用,因為網絡應用潛力無限。”去年夏天,該公司稱可提供16Mb異步高速SRAM的樣品,它有三種速度和4種配置的版本。Toshiba已開始提供用于高速網絡領域的9Mb同步SRAM??NtRAM的樣口。

計劃

該公司稱,在未來的幾個月里,其目標是為網絡及高速cache應用開發新產品。

Winbond Electronics Corp. America

2727 N. First St.

San Jose, Calif. 955134

(408) 943-6666

發展

Winbond可為PC、磁盤驅動器、調制解調器、游戲、數據銀行和掃描儀、以及傳真機/打印機應用提供高速、低功率SRAM。

計劃

為了滿足用戶的應用需求,該公司將提供密度更高、工作電壓更低并具有超低功耗的SRAM,以延長電池壽命。新的SRAM還要滿足通信市場的要求,即具有更高的容量和更高的速度,該產品包括速度為133MHz和200MHz的4MHz、8MHz和16MHz SRAM。