le="display: block;">IBM計劃在今年樣產(chǎn)首款利用金屬實現(xiàn)芯片間直接互聯(lián)的商用器件,這一改動雖小,但是在向3D封裝的演進途中,它卻堪稱是一件意義重大的里程碑式事件。這種新型的芯片設(shè)計方式,可能會提高多種系統(tǒng)的性能,并降低其功耗和成本。
在2008年,IBM這位藍色巨人的新型功放也將投入量產(chǎn),據(jù)稱該產(chǎn)品可與電源接地層實現(xiàn)多達100個直接金屬連接。該連接方式可將產(chǎn)品功耗降低40%,而這在手機或Wi-Fi適配器中至為關(guān)鍵。
目前,行業(yè)內(nèi)共有大約十幾家公司在追求被稱為“硅片直通孔(TSV)”或其它形式的3D封裝技術(shù),并將其作為芯片間直接互連的下一個巨大飛躍,而IBM正是其中之一。4月下旬,一組半導(dǎo)體專家曾聚在一起,首次為TSV技術(shù)草擬行業(yè)發(fā)展藍圖,該小組希望正式的發(fā)展藍圖能夠在今年年底出爐。
3D封裝技術(shù)超越了目前廣為使用的系統(tǒng)級芯片(SoC)和系統(tǒng)級封裝(SiP)方法。使用該技術(shù),原始硅裸片通過幾十微米寬的微小金屬填充孔相互槽嵌(slot into)在一起,而無需采用基層介質(zhì)和導(dǎo)線。與目前封裝方式所能達到的水平相比,該技術(shù)能以低得多的功耗和更高數(shù)據(jù)速率連接多種不同器件。
“為連接這些微米級過孔,時下采用的毫米級導(dǎo)線需要成百倍地被細化?！毙酒a(chǎn)業(yè)研發(fā)聯(lián)盟Sematech互連部門主管Sitaram Arkalgud表示,“最終目標是找到一種方法將異類堆棧中的CMOS、生物微機電系統(tǒng)(bio-MEMS),以及其它器件連接起來。為此,業(yè)界或許需要一個標準的3D連線協(xié)議來放置過孔?！盇rkalgud將幫助起草3D芯片發(fā)展藍圖。
“這將為芯片產(chǎn)業(yè)開辟一片全新的天地。” WeSRCH網(wǎng)站(由市場研究機構(gòu)VLSI Research創(chuàng)辦)負責人David Lammers表示。
攀登3D階梯
IBM將采用漸進方式啟動3D封裝技術(shù)。除了功放,IBM還計劃采用該技術(shù)將一個微處理器與接地層連接,從而穩(wěn)定芯片上的功率分布,而這將需要100多個過孔來連接穩(wěn)壓器和其它無源器件。
IBM已經(jīng)完成了這樣一個設(shè)計原型,并預(yù)計此舉能將CPU功耗減少20%。“不過,我們還未決定將其插入產(chǎn)品計劃的哪個環(huán)節(jié)。”IBM探索性研發(fā)小組高級研發(fā)經(jīng)理Wilfried Haensch表示。
最終目標是采用數(shù)千個互連實現(xiàn)CPU和存儲器間的高帶寬連接。IBM已將其Blue Gene超級計算機中使用的定制Power處理器改為TSV封裝。新的芯片將與緩存芯片直接匹配,目前,采用該技術(shù)的一個SRAM原型正在IBM的300mm生產(chǎn)線上利用65nm工藝技術(shù)進行制造。
“我敢打賭,到2010年將出現(xiàn)采用該方法連接緩存的微處理器?！盠ammers指出,“我認為,真正需要這種技術(shù)的,是那種超過10個內(nèi)核的處理器場合。在這種情況下,處理器和存儲器間的帶寬確實是個問題?！?
在英特爾和AMD間正在進行的博弈中,該新技術(shù)將成為一個重要籌碼。雖然AMD與IBM合作開發(fā)工藝技術(shù),但AMD可能需要向IBM申請這種封裝技術(shù)的特別使用許可——這也許會發(fā)生在32nm時代,Lammers介紹。
英特爾也在開發(fā)TSV技術(shù)。英特爾計劃在未來的萬億赫茲研究型處理器中采用這種技術(shù),該公司研發(fā)部負責人Justin Rattner在去年的英特爾開發(fā)者論壇上曾如此表示。
TSV可把芯片上數(shù)據(jù)需要傳輸?shù)木嚯x縮短1,000倍,并使每個器件的互連性增加100倍,IBM聲稱?！斑@一突破是IBM十多年的研究結(jié)晶?！盜BM半導(dǎo)體研發(fā)中心副總裁Lisa Su表示。
芯片制造商的3D互連研究歷時多年,但截至目前,該技術(shù)仍被認為是一種昂貴的、針對特定小應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)。工程師一直在研究通孔、晶圓級邦定,以及其它替代技術(shù)。由于眾多專家相信2009年將出現(xiàn)一場互連危機,所以對3D互連和封裝的需求已變得日益迫切。這場危機的根源在于:隨著芯片工藝節(jié)點的縮小,芯片設(shè)計中鋁或銅導(dǎo)線變得越來越細,從而會導(dǎo)致潛在的時序延遲及多余的銅阻抗。
即使有IBM的聲明,但是業(yè)界仍面臨著成本、良率和測試等一系列棘手問題。”專注于封裝問題的Prismark Partners咨詢公司高級顧問Brandon Prior表示。
新出現(xiàn)的裸片堆疊技術(shù)目前既不成熟,又十分昂貴。芯片堆疊內(nèi)的熱散逸是另一個主要難題。如今,幾家公司正在樣產(chǎn)TSV產(chǎn)品,但卻沒有一家表現(xiàn)出有足夠的潛力能取代目前地位穩(wěn)固的邦定技術(shù),或在“封裝堆疊(PoP)”技術(shù)上取得新進展。
的確,堆疊多個封裝基底的方法仍是目前封裝技術(shù)中發(fā)展最熱的一塊,Amkor公司業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理Lee Smith表示。美國電子器件工程聯(lián)合委員會(Jedec)已經(jīng)為該方法設(shè)立了一系列標準,而且這些技術(shù)正在被整合了存儲器和邏輯芯片的手機棧迅速采用,Smith介紹。
Tessera希望能借助PoP之勢進行發(fā)展。該公司發(fā)布了自己的MicroPILR技術(shù),這是一種更具革命性的方法,可用于多種芯片和板卡應(yīng)用。
一些專家相信,存儲器將會成為首批采用TSV技術(shù)的器件之一。但傳統(tǒng)的邦定工藝和目前的芯片堆疊技術(shù),也將繼續(xù)取得進步。鑒于各種方法的成本有所不同,所以它們可能將在許多應(yīng)用中與3D封裝爭奪市場。
Sematech已開始研制一種成本模型,該模型能把不同的技術(shù)與其最適合的應(yīng)用相對應(yīng),Arkalgud介紹。今年底,首張映配圖將會面市,但其內(nèi)容也會隨著時間的發(fā)展而產(chǎn)生變化,他說。
取得行業(yè)關(guān)注
的確,使行業(yè)內(nèi)各公司集中精力于幾種3D封裝法和這些方法帶來的技術(shù)挑戰(zhàn),是目前該領(lǐng)域面臨的最大障礙之一,Arkalgud指出。
“業(yè)界正處在這樣一個關(guān)口:解決方案太多,人們無法在前進的道路上達成共識?，F(xiàn)在如果你向5個人詢問解決該問題的方法,可能會得到5個以上的答案?！彼硎?。
TSV的發(fā)展藍圖,將在下一版的《國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖》中作為其內(nèi)容的一部分發(fā)表,此舉將起到促進行業(yè)達成共識的積極作用。成本映配文件則是另一股推進力量,Arkalgud接著說。
一旦能達成共識,業(yè)界需要解決一系列技術(shù)問題。這些問題包括:如何組合及排列3D芯片堆疊、如何一致性地生產(chǎn)和處理它們所需的超薄晶圓等。如何簡單地鉆通并填充這些微小的過孔(孔深與孔徑之比為10:1、直徑小至90微米),曾經(jīng)是IBM面臨的主要挑戰(zhàn),Haensch表示。但是他拒絕透露IBM工藝的細節(jié)。
“當開始蝕刻這些小孔并形成新鍍層時,會產(chǎn)生一些碎屑,而這些碎屑會影響良率?！盫LSI Research的Lammers表示。
已經(jīng)很熱的裸片在直接堆疊時還會產(chǎn)生熱,如何散熱就成為另一個難題。工程師正在研究將最熱的裸片放在棧外的方法,但目前還沒有好的熱仿真工具能確定在使用時哪個區(qū)域最熱或最涼,Arkalgud指出。
工程師一旦解決了制造中遇到的難題,那么該技術(shù)就將打造芯片設(shè)計的新天地。若處理器能與多個SRAM進行直接的高帶寬連接,那么它們也許就不再需要內(nèi)部緩存。這些緩存一般占據(jù)了CPU裸片的大部分面積。
作者:麥利 馬立得
