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在日本召開的開發(fā)者會(huì)議上,Rambus公司將展示可以使到內(nèi)存芯片的傳輸速度達(dá)到每秒千兆字節(jié)的技術(shù)。該公司相信,它的信號(hào)傳輸技術(shù)將可以替代3D芯片堆疊,而且成本較低。

長(zhǎng)期以來,微處理器與外部DRAM之間的延遲一直是制約系統(tǒng)性能的瓶頸。在Rambus負(fù)責(zé)工程的資深副總裁Kevin Donnelly表示:“由于多核處理器的每個(gè)內(nèi)核運(yùn)行多個(gè)線程,目前內(nèi)存帶寬需求在急劇增長(zhǎng)。”為了解決上述問題,Rambus將展示多內(nèi)存通道,每個(gè)通道的速度是16Gbits/s,速度大約是目前正在開發(fā)的單個(gè)通道的四倍。預(yù)計(jì)在東京的開發(fā)者會(huì)議上,Rambus將展示一款65納米控制器,連接到兩個(gè)65納米R(shí)AM器件,每個(gè)內(nèi)存芯片的合計(jì)吞吐能力高達(dá)32Gbytes/s。

Rambus將通過把三種信號(hào)技術(shù)應(yīng)用在相對(duì)傳統(tǒng)的分立器件上面,來達(dá)到上述吞吐能力。上述控制器采用倒晶封裝,而RAM采用引線鍵合封裝。

“我們的目的是展示幾年后就可以實(shí)際制造的東西,”Rambus的技術(shù)主管Steve Woo表示,“2010或者2011年出現(xiàn)(對(duì)每秒千兆字節(jié)內(nèi)存芯片的)需求,并非不切實(shí)際。”

“人們想利用通孔技術(shù)和芯片堆疊來解決這些問題,但這些方法存在熱問題和其它問題,”Donnelly表示,“如果能夠使用分立元件,而不是通過相對(duì)奇特的技術(shù)就能達(dá)到這么高的信號(hào)傳輸速度,肯定在成本方面具有優(yōu)勢(shì)。”

今年三月,IBM宣布將生產(chǎn)一款功率放大器,最多采用100個(gè)通孔電極連接到一個(gè)電源接地層。IBM聲稱,這是邁向3D堆疊技術(shù)的第一步,還將把它用于BlueGene/L超級(jí)電腦,連接Power處理器和高速緩存SRAM,從而大大提高CPU與存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)傳輸速度。

有12家以上的公司和研究組在研究穿透硅通孔(through-silicon via,TSV)和相關(guān)技術(shù),其中包括爾必達(dá)、IMEC、三星和Sematech,以及初創(chuàng)公司Cubic Wafer、Tezzaron、Ziptronix和ZyCube。但分析師表示,該技術(shù)仍然不太成熟,而且面臨諸多問題,包括如何為堆疊降溫。

IBM的系統(tǒng)與技術(shù)首席科學(xué)家Bernie Meyerson在接受采訪時(shí)為該技術(shù)進(jìn)行了辯護(hù),稱它在可制造性與開創(chuàng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)新方式方面具有潛力。

Rambus在東京展示其技術(shù)時(shí),不會(huì)對(duì)任何采用Rambus上述技術(shù)的產(chǎn)品計(jì)劃發(fā)表評(píng)論。

Donnelly表示:“我們目前沒有尋找合作伙伴。我的工作是開發(fā)新技術(shù),我們目前處于為這種技術(shù)評(píng)估新硅片的早期階段。”