發布日期：2022-07-14 點擊率：35
最近有一家組織發布了一本有關芯片級靜電放電(ESD)目標級別的新白皮書,這份白皮書很有可能會造成爭議。
二十多年以來,芯片制造商開發了帶有片上ESD保護電路的數字化IC,這些電路支持人體模式(HBM)的2000-V等級和機器模式的(MM)的200V等級。ESD目標等級行業委員會正在推動行業將HBM級降低到1000V,將MM模式降低到30V。這份白皮書名為《降低元件級HBM/MM ESD規范和要求的一個案例》,目前已經面向公眾發布。
該組織成立于去年,包含了16個主要成員:模擬器件、AMD、飛思卡爾、富士通、IBM、英飛凌、英特爾、LSI、松下、NXP、Oki、瑞薩、三星、Sarnoff、德州儀器和TSMC。
該委員會成員Charvaka Duvvury和Harald Gossner表示:“如今OEM所要求的更好的靜電控制方法并不能作為本文數據所展示的更高HBM/MM級別正名的證據。”Gossner是英飛凌ESD設計高級主管兼ESD目標等級行業委員會聯席主席,而Duvvury則是德州儀器旗下硅技術部門專家兼該部門聯合總裁。
這兩位專家表示:“ESD等級的過度設計正越來越限制硅領域及性能,并常常導致產品創新的延誤。基于更佳的靜電控制技術、現場失敗率、案例研究和來自IC供應商和合同制造商的ESD設計數據,我們提出將HBM/MM ESD目標等級降到一個更實際但仍然安全的水平。”
據該委員會成員稱:“本文的目的在于向半導體公司及其客戶提供有關質量組織的信息,以使之評估安全ESD等級要求并作出決定。”他們表示:“通過這篇文章,我們展示了為何現實地降低元件級ESD的ESD目標等級不僅必需而且刻不容緩。本文規定的所有元件級ESD測試都遵循相關JEDEC和ANSI/ESDA規范中限定的方法。”
但并不是所有人都意見一致。在被問道他們對此事的看法時,有些成員的態度來了個180度的大轉彎,尤其是Sarnoff旗下的Sarnoff Europe。
NEC電子最近開發出了一種面向45納米節點的新型靜電放電(ESD)技術。NEC表示:“由于采用65納米及以下節點的器件外形日益縮小,電路級上的電壓和電流允差變得更小。但更小的外形需要和更大外形一樣的ESD保護等級。”
業內某專家表示:“應該是由客戶來決定他們的ESD要求,而不是某個行業組織。”
